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题目内容（请给出正确答案）

[多选题]

NPN型和PNP型晶体管都含有掺杂区（)

A.发射区

B.基区

C.集电区

D.放大区

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第1题

无论是PNP型还是NPN型三极管，若工作在放大状态时其条件是（)。

A.发射结正向偏置，集电结反向偏置

B.发射结集电结都反向偏置

C.发射结集电结都正向偏置

D.视管子类型而定

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第2题

用模拟万用表欧姆挡测一晶体管，用黑表笔接一个极，用红表笔分别测另两个极，测得的电阻都很小，则黑表笔接的是（)。

A.NPN的发射极

B.PNP的发射极

C.PNP的基极

D.NPN的基极

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第3题

晶体三极管的PNP和NPN型两种结构相似均具有三个PN结，形成两个区域。（)

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第4题

三极管是由两个PN结构成的一种半导体器件，根据PN结的结合方式不同，三极管可分为PNP型和NPN型两种类型、。（)

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第5题

测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V，则此三极管为（)

A.PNP型锗三极管

B.NPN型锗三极管

C.PNP型硅三极管

D.NPN型硅三极管

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第6题

晶体管符号中，箭头朝内者，表示它是（)。

A.硅管

B.锗管

C.NPN管

D.PNP管

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第7题

晶体管符号上的箭头朝外，则表示为（)。

A.硅管

B.锗管

C.NPN管

D.PNP管

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第8题

在静态时，无论基极偏置电流多大，无论是PNP型还是NPN型，三极管三个极电流总有（)。

A.IC=IB+IE

B.IB=IE+IC

C.IE=IB+IC

D.IE=(1)IB

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第9题

关于晶体管的漏电流，以下说法的是（)。

A.相同功率的锗管漏电流大于硅管

B.NPN管漏电流小于PNP管

C.电压升高一倍漏电流增大一倍

D.NPN管漏电流大于PNP管

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第10题

下面哪一种方法是不能提高npn晶体管的发射效率（）。

A.提高发射区的掺杂浓度

B.采用宽禁带基区材料

C.减小基区掺杂浓度

D.减少发射结复合电流

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第11题

(1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中，若设各NPN型管的β=250，PNP型管的β=50，两种类型晶

（1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中，若设各NPN型管的β=250，PNP型管的β=50，两种类型晶

体三极管的|V_A|均为100V，|V_BE(on)|=0.7V，并设T₂₃的输入电阻为9.1MΩ，I_C17=550μA，|V_CC|=|V_EE|=15V，试求T₁₆、T₁₇组成的中间增益级的输入电阻R₁和电压增益A_v。

(2)利用上题提供的管子参数，试求F007集成运放内部电路中输入差分级电路的输入电阻R_id和互导增益A_g。设各管r_ce忽略不计。已知差分放大器的偏置电流为20μA。

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