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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

高效单晶硅太阳电池的实验室最高光电转换效率已经接近（)。

A.0.18

B.0.2

C.0.25

D.0.3

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第1题

铸造多晶硅太阳电池的光电转换效率要比直拉单晶硅太阳电池低()。

A.4%～5%

B.3%～4%

C.2%～3%

D.1%～2%

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第2题

1954年，美国科学家首次在贝尔实验室制成了单晶硅太阳能电池，其光电转换效率为（)。

A.3.5%

B.4.5%

C.5.5%

D.6.5%

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第3题

限制单晶硅太阳电池转换效率的主要技术障碍有()。

A.光传导损失

B.表面光反射损失

C.内部复合损失

D.电池表面栅线遮光影响

E.表面复合损失

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第4题

光电转换的最小单元称为（)。

A.太阳电池单体

B.太阳电池

C.太阳电池组件

D.太阳电池方阵

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第5题

直拉单晶硅和()应用最为广泛，占太阳能光电材料的90%左右。

A.铸造多晶硅

B.薄膜非晶硅

C.带状多晶硅

D.薄膜多晶硅

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第6题

近年来，一些新型高效电池不断问世，主要包括()。

A.用化学束外延(CBE)技术生产的多结Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳电池

B.硒化铜铟(CuInSe\-2,CIS)薄膜太阳电池

C.大面积光伏纳米电池

D.硅-硅串联结构太阳电池

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第7题

对于太阳电池来说，为了得到高的转换效率，要求材料有大的()和适中的()。

A.载流子迁移率

B.禁带宽度

C.电阻率

D.非平衡载流子寿命

E.位错密度

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第8题

澳大利亚新南威尔士大学的格林教授采用激光刻槽埋藏栅线等新技术将高纯化硅晶太阳电池的转换效率提高到()。

A.25%

B.17%

C.21%

D.16%

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第9题

20世纪70年代初，()开始引人到电池的制造工艺中，太阳电池转换效率有了较大提高。

A.表面织构化

B.背表面场

C.细栅金属化

D.浅结表面扩散

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第10题

典型的光电转换器件主要有CCD图像传感器和CMOS图像传感器。（)

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第11题

滚筒扫描仪光电转换器件（)。

A. 模数转换电路

B. 光电耦合器件CCD

C. 光电倍增管

D. 滤色片

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