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[主观题]

在图NPS1-9(a)所示电路中,品体管参数β=50,IS=10-14A,输入信号源电压vI(t)=5+2si

在图NPS1-9(a)所示电路中,品体管参数β=50,IS=10-14A,输入信号源电压vI(t)=5+2si

n(2π×103t)(V)。(1)试求输出电压振幅。(2)画出T1、T4管集电极电压波形和T1、T2管发射极电流波形。(3) 若T2管损坏(断开),试求输出电压值,并分析原因。

在图NPS1-9(a)所示电路中,品体管参数β=50,IS=10-14A,输入信号源电压vI(t)=

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第1题
在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE(on)可忽略。试用开关函数求i≇
在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE(on)可忽略。试用开关函数求i≇

在图NP4-9所示的差分对管调制电路中,已知晶体三极管β很大,VBE(on)可忽略。试用开关函数求ic=(ic1-ic2)值。

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第2题
在图LP3-2所示电路中,假设两管p0、Cok相同,VGS(th)=0.75V,ID2=1mA若忽略沟道长
在图LP3-2所示电路中,假设两管p0、Cok相同,VGS(th)=0.75V,ID2=1mA若忽略沟道长

度调制效应,并设T1管的沟道宽长比(W/l)是T2管的5倍.试问流过电阻R的电流IR值.

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第3题
在图LP4-2所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7V,ICBO=10-15A,试求:室
在图LP4-2所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7V,ICBO=10-15A,试求:室

温下ICQ、VCEQ值,温度升高40℃、降低60℃两种情况下VCEQ值,并分析其工作模式.

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第4题
在图4-62所示电路中,已知(W/l)10=1.5/0.3,ID9=2ID5,ID5=ID6=360μA,ID10=90μA。试求T5、T6、T8、T9各管的沟道宽

在图4-62所示电路中,已知(W/l)10=1.5/0.3,ID9=2ID5,ID5=ID6=360μA,ID10=90μA。试求T5、T6、T8、T9各管的沟道宽长比。设器件的μnCox=2μnCox,|VGS(th)|均相同,沟道长度调制效应忽略不计。

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第5题
(1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中,若设各NPN型管的β=250,PNP型管的β=50,两种类型晶
(1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中,若设各NPN型管的β=250,PNP型管的β=50,两种类型晶

体三极管的|VA|均为100V,|VBE(on)|=0.7V,并设T23的输入电阻为9.1MΩ,IC17=550μA,|VCC|=|VEE|=15V,试求T16、T17组成的中间增益级的输入电阻R1和电压增益Av

(2)利用上题提供的管子参数,试求F007集成运放内部电路中输入差分级电路的输入电阻Rid和互导增益Ag。设各管rce忽略不计。已知差分放大器的偏置电流为20μA。

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第6题
在图NPSS-1(a)所示斜率鉴频电路中,若设所有三极管均为Q2222.,信号源内阻Rs=0.4 kn,Rc=
在图NPSS-1(a)所示斜率鉴频电路中,若设所有三极管均为Q2222.,信号源内阻Rs=0.4 kn,Rc=

在图NPSS-1(a)所示斜率鉴频电路中,若设所有三极管均为Q2222.,信号源内阻Rs=0.4 kn,Rc=3 ks。试设计电路中电感、电容值,使鉴频特性零点频率为1.3MHz。若设输入信号为单音调频信号,Vm=10mV,Mf=15rad,F=1kHz。

(1)用交流线性扫描类型分析并描绘:回路在T1,T2管基极呈现的幅频特性。

(2)描绘v1(t)和v2(t)的波形。

(3)描绘T3,T4管发射极经检波后的信号波形及输出波形。

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第7题
设图题5.7.7所示电路中T1、T2管均有合适的静态工作点。各电容对交流均可视为短路。试画出
该电路的交流通路,并写出Ar,Ri,R0的表达式。

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第8题
在图所示电路中,设在k点发生短路,试判断:

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第9题
在图4-59所示的电路中,已知。

在图4-59所示的电路中,已知

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第10题
②在图10.30所示各电路中,能完成功能的电路是图()。

②在图10.30所示各电路中,能完成功能的电路是图( )。

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第11题
图LP4-9所示为某集成电路的部分内部原理电路,已知各管的β值很高,输入端输出端

图LP4-9所示为某集成电路的部分内部原理电路,已知各管的β值很高,

输入端输出端

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