电路如图题4.3.1(主教材图4.3.7b)所示,设Rg1=90千欧,Rg2=60千欧,Rd=30千欧,VDD⌘
电路如图题4.3.1(主教材图4.3.7b)所示,设Rg1=90千欧,Rg2=60千欧,Rd=30千欧,VDD=5 V,VTS=1V,Kn=0.1mA/V2。试计算电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。
电路如图题4.3.1(主教材图4.3.7b)所示,设Rg1=90千欧,Rg2=60千欧,Rd=30千欧,VDD=5 V,VTS=1V,Kn=0.1mA/V2。试计算电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。
i
=12mV(有效值),信号源内阻Rei=1千欧,R1=R'1+Rei(R'1为电路外接电阻),要求输出电压Vn=1.2V(有效值),设计时该电路所有电阻小于500千欧。
4时,v0等于多少? (2)求图b输出电压v0表达式,当R1=R2=R3时,v0等于多少?
在教材图22.3.9中,若PROM存储矩阵的编程如图22.26所示。试画出输出电压uo的波形。
在教材图15.7.3所示电路中有只RB2,而在教材图15.7.4中将它去掉,这样是否能得到偏流?
在图a电路中,设C=2F,Uc(0-)=2v,is波形如图b所示,对所有t,试计算响应uc。
TTL集成施密特触发器CTll32的逻辑符号和vI一vO曲线如图9.6.1(a)所示,图(b)为CTll32组成的电路。 (1)说明电路具有什么功能。 (2)定性画出VA,VO的波形。 (3)若R=10 kΩ,C=0.01μF,计算工作周期。
(清华大学2005年考研试题)(1)电路如图15-5(a)所示,图15-5(b)为其对应的拓扑图,标准支路定义为图15—5(c)所示形式。试写出该电路矩阵形式的节点电压方程
中的各矩阵或向量
;(2)以图15-5(b)中支路1,2,3为树支,写出图15-5(b)的基本回路矩阵Bf和基本割集矩阵Qf。
某接口需占用4个I/O接口地址,假设为2F0H~2F3H,则相应的地址译码部分电路如图8-12所示。
图8-12中,地址A9~A2为如图组合时,端输出低电平(AEN必须为低电平),地址依次为:10111100,共8位。把A1、A0附在最后构成10位地址如下。
在图Ⅰ-2(a)所示电路中,当电容C分别为10μF,20μF,30μF时,开关S闭合后响应uc(t)曲线如图Ⅰ-2(b)所示。其中C=10μF时的“uc(t)曲线应为( )。
A.A B.B C.C
3.在图Ⅰ-2(a)所示电路中,当电容C分别为10μF,20μF,30μF时,开关S闭合后响应uc(t)曲线如图Ⅰ-2(b)所示。其中C=10μF时的“uc(t)曲线应为( )。
A.A B.B C.C