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[主观题]
图22.14是由NMOS管构成的ROM存储矩阵。（1)画出简化阵列图。（2)列表说明其存储的内容。（3)写出D0～D3的逻辑式。
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在图22.12所示中，ROM的存储矩阵是由双极型晶体管构成的。(1)画出简化阵列图。(2)列表说明其存储的内容。(3)写出D0～D3的逻辑式。
某环形VCO为6级结构，每级单元电路为图9.58所示的MOS差分放大器，其中每只NMOS管的VTH=0.5V，k=0.1mA/V2，CDS=7pF，VDD=5V。若控制电压Vcon=3~4V，求输出频率范围和压控灵敏度K。
A.<span style="font-family: 宋体; font-size: 14px;">软盘</span>
B.<span style="font-family: 宋体; font-size: 14px;">硬盘</span>
C.<span style="font-family: Calibri, sans-serif; font-size: 14px;">CD-ROM </span>
D.<span style="font-family: Calibri, sans-serif; font-size: 14px;">ROM</span>
A.开关阈值取决于PMOS和NMOS管相对驱动强度的比
B.增加PMOS或NMOS的宽度使VM分别向GND或VDD移动
C.提高NMOS的驱动强度将使开关阈值趋近于GND
D.一般希望开关阈值处于电压摆幅的中点
电平为读，低电平为写)。现有下列存储芯片：1K×4位RAM，4K×8位RAM，2K×8位ROM，以及74138译码器和各种门电路，如图所示。画出CPU与存储器连接图，要求：1.主存地址空间分配：8000H～87FFH为系统程序区;8800H～8BFFH为用户程序区。
2.合理选用上述存储芯片，说明各选几片？
3.详细画出存储芯片的片选逻辑。
