硅片热氧化生长遵从如下公式：t+At=B(t+τ)，其中t为硅片经过t时B/A为线性速率系数间后SiO的生长厚度(μm);B为抛物线速率系数(μm(μm/h);τ为生成初始氧化层(同一工艺参数)所用的时间(h)。我们希望通过对一初始表面氧化层厚度为0的硅片进行一2段氧化过程：干氧(0.5h)—湿氧(2h)来生成厚的SiO薄膜作为隔离场氧层。干氧温度为1100℃，湿氧水汽氧化温度2为920℃。已知：920℃下水汽氧化相关工艺参数分别为：A=0.50μm，B=0.20μm/h;1100℃下干氧氧化相关工艺参数分别为：2A=0.09μm，B=0.03μm/h。试计算：a、0.5h内干氧生成的SiO厚度(μm)b、2h内湿氧水汽氧化所生成的SiO厚度(μm)c、整个氧化过程所消耗的硅层的厚度(μm)。