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[主观题]

在图3.6所示电路中,已知R=100Ω,L=31.8mH,C=318μF,求电源的频率和电压分别为50Hz、100V和1000Hz、100V两种情况

下,开关S合向a,b,c位置时电流表的读数,并计算各元件中的有功功率和无功功率。

在图3.6所示电路中,已知R=100Ω,L=31.8mH,C=318μF,求电源的频率和电压分别为5

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第1题
在图LP4-50所示的电流源电路中,已知ΥCC=30Υ,R=30kΩ,T=300K, 试确定R2,并求输出交流电

在图LP4-50所示的电流源电路中,已知ΥCC=30Υ,R=30kΩ,T=300K, 试确定R2,并

求输出交流电阻R0.(补充条件:β=100,|VA|=100VC)

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第2题
在图6-43所示电路中,已知R1=R=R'=100kΩ,R2=Rf=100kΩ,C=1μF。

在图6-43所示电路中,已知R1=R=R'=100kΩ,R2=Rf=100kΩ,C=1μF。

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第3题
(浙江大学2010年考研试题)图18—2所示电路中,已知,R=100Ω,无损耗线l1特征阻抗Zc1=100Q,线长;无损

(浙江大学2010年考研试题)图18—2所示电路中,已知

,R=100Ω,无损耗线l1特征阻抗Zc1=100Q,线长

;无损耗线l2和l3特征阻抗均为Zc2=200Ω,l2线长

,设电信号在所有无损线中的传播速度(相位移速度)均为v=3×108m/s;阻抗Z=100Ω,

;欲使l1中无反射波,问l3最短应取多长?此时电流i2(t)为多少?

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第4题
在图所示电路中,已知U=100V,R2=6.5Ω,R=20Ω,当调节触点c使Rac=4Ω时.电压表的读数最小,其值为30V。求阻抗Z。

在图所示电路中,已知U=100V,R2=6.5Ω,R=20Ω,当调节触点c使Rac=4Ω时.电压表的读数最小,其值为30V。求阻抗Z。

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第5题
图6-64所示正弦电路中,已知R=40Ω,ωL=60Ω,ωM=20Ω,,,=。试求和。

图6-64所示正弦电路中,已知R=40Ω,ωL=60Ω,ωM=20Ω,=。试求

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第6题
在图LP4-5所示电路中,已知晶体三极管特性相同,β=100,ΥBE(on)=0.7Υ,要求IEQ1=0.5m
在图LP4-5所示电路中,已知晶体三极管特性相同,β=100,ΥBE(on)=0.7Υ,要求IEQ1=0.5m

A,IEQ2=1mA,ΥCEQ1=2.5Υ,ΥCEQ2=4Υ.设ΥCC=12Υ,ΥCQ2=6Υ,I1=10IBQ,试计算各电阻值,

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第7题
在题3-2-35图所示电路中,已知Xc=l00Ω,开关S闭合前与闭合后,电流表A的读数均为4A,则XL应为()。

A.25Ω

B.200Ω

C.100Ω

D.50Ω

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第8题
在图LP4-2所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7V,ICBO=10-15A,试求:室
在图LP4-2所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7V,ICBO=10-15A,试求:室

温下ICQ、VCEQ值,温度升高40℃、降低60℃两种情况下VCEQ值,并分析其工作模式.

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第9题
图所示稳态电路中,所有电压源的角频率均为ω=105rad/s,但它们的大小和相位均未给出。已知当R=1.5kΩ时,;C=0.04

图所示稳态电路中,所有电压源的角频率均为ω=105rad/s,但它们的大小和相位均未给出。已知当R=1.5kΩ时,;C=0.04μF,其他参数如图所示。求R=0.5kΩ时,电流的值。

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第10题
在图LP6-25(a)所示集成运放电路中,已知IQ=100μA,Cϕ=2pF,试求BWG、SR,将它接成
在图LP6-25(a)所示集成运放电路中,已知IQ=100μA,Cϕ=2pF,试求BWG、SR,将它接成

图LP6-25(b)所示的同相跟随器.试求:

(1)当输入幅度为VS的阶跃电压激勋时,不受转移率限制的最大VS值.

(2)当输入幅度为2V的正弦波激励时,不受转移率限制的最高信号频率.

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第11题
(湖南大学2006年考研试题)图9-94所示的电路中,已知R=20Ω,C=25μF,L=40mH,,uS2=80V。求i1、i2、i3的有

(湖南大学2006年考研试题)图9-94所示的电路中,已知R=20Ω,C=25μF,L=40mH,

,uS2=80V。求i1、i2、i3的有效值和电阻(2R)消耗的有功功率P。

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