AIS的工作频率是()。
A.161.975KHZ
B.162.025MHZ
C.161.975 MHZ
D.C和B对
A.161.975KHZ
B.162.025MHZ
C.161.975 MHZ
D.C和B对
有一个速调管中用的环形谐振腔(空气填充),它的尺寸如图所示,工作频率f=3GHz,尺寸为:r0=10mm,R=22mm,l=7mm,d=1mm。问:若使其工作频率增加50MHz,电容应改变多少?d增大还是减小?并计算出d的改变量的近似值。
A.随着微处理器主频和芯片集成度的不断提高,其功耗也会相应增加
B.降低微处理器工作电压是减少芯片功耗的重要途径,目前Pentium 4微处理器的工作电压已经降至2V以下
C.采用新的CMOS制造工艺,并且用铜线代替铝线,可以使功耗进一步降低
D.对微处理器的主频进行分频,使微处理器前端总线(系统总线)频率降低,也能达到降低微处理器功耗的目的
分析如图所示电路的工作原理,说明此电路的特点。其中并联回路L3、C3与L1、C1、C2有相同的谐振频率,均为50MHz,电容C4=C5=0.01μF。
有一在室温下工作的光导型PbS探测器,其内阻范围为100kΩ~200kΩ,信号的频率范围为0~1000Hz(即△f=1000Hz,f0=500Hz),Vsi为50μV~500μV,试为其设计一低噪声前置放大器,要求:Avs≥20,等效输入噪声Eni≤10μV(保证)
光泵浦的激光系统如图4.9所示,激光工作物质能级示于图4.9(a),在热平衡状态下,能级1,能级2上的粒子数可忽略不计。将泵浦光波长调到能级0→能级2跃迁中心频率,从一侧入射到工作物质上,将能级0的粒子抽运到能级2。能级2的粒子数通过自发发射和无辐射跃迁回到能级0,其跃迁几率分别为A20=106s-1,S20=5×106s-1;能级2和能级1之间存在自发发射和受激发射,其自发发射爱因斯坦系数A21为105s-1,能级1的寿命τ1=10-7s。为了简化,假定n2,n1<<n0,基态粒子数密度视为常数,n0=1017cm-3。该激光工作物质为均匀加宽介质,能级2→能级0及能级2→能级1跃迁谱线具有洛伦兹线型,其线宽△vH=10GHz,激光器处于稳态工作。其他参数如图4.9(b)中所示。求:
(1)中心泵浦波长的吸收截面σp; (2)能级2→能级1的中心频率发射截面σ21; (3)能级2寿命; (4)泵浦光很弱并忽略受激发射时的n2/n1比值; (5)阈值增益和中心频率阈值反转粒子数密度; (6)写出用σp,Ip,σ21和I表示的能级2和能级1的速率方程,求阈值泵浦光强(其中Ip和I分别为泵浦光强和腔内激光光强); (7)如果泵浦光强是阈值的10倍,能级2→能级1跃迁以受激发射为主,估算该激光器的输出光强。
某双端输入、双端输出低噪声放大器,电路如图所示,其中L1、L2(L'1、L'2)与场效应管M1(M'1)的电容Cgs串联谐振,构成与信号源阻抗RS匹配的输入网络。电容C1(C'1)是隔直流电容,输出负载是L3CL(L'3C'L)并联谐振回路。已知,场效应管的特征角频率ωT=30×109rad/s,工作频率为ω0=5×109rad/s,两场效应管电容Cgs=0.5pF,输出回路线圈L3=6.5nH,Q=5,信号源内阻RS=50Ω。要求:
ORG 3000H
START:MOV TMOD, #01H
MOV TL0,#OCH
MOV THO, #OFEH
SETB TR0
LOOP: JBC TFO,DONE
SJMP LOOP
DONE:MOV TL0,#OCH
MOV THO,#OFEH
CPL P1.0
SJMP LOOP