题目内容
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[主观题]
FET恒流源电路如图题4.8.9所示。设已知管子的参数gm、rds,且μ=gmrds。试证明AB两
端的小信号电阻rAn。
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一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问:
(1)该管是耗尽型还是增强型?
(2)是N沟道还是P沟道FET?
(3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP还是开启电压V?其值等于多少?
电路如图题4.3.1(主教材图4.3.7b)所示,设Rg1=90千欧,Rg2=60千欧,Rd=30千欧,VDD=5 V,VTS=1V,Kn=0.1mA/V2。试计算电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。
欧,Rm=1千欧,Rxi=10千欧。场效应管参数为VTS=1.5V,Kn=2mA/V2,λ=0。试求(1)静态工作点Q;(2)电压增益Ap和源电压增益Aex;(3)输入电阻Ri和输出电阻R0。
在图a电路中,设C=2F,Uc(0-)=2v,is波形如图b所示,对所有t,试计算响应uc。
以运算形式写出如图9.4.7所示电路的割集电压方程的矩阵形式,设L3、L4、C5的初始条件为零。
11,v12和v13之间的关系式;(2)写出当电路中电阻R1=R2=R3=R4=R5=R6=R时,输出电压v0的表达式。
表示式,并说明T4管的作用;(2)若没有T2管,增益Ai如何变化?
4时,v0等于多少? (2)求图b输出电压v0表达式,当R1=R2=R3时,v0等于多少?
电路如图11.3.7所示,非线性电阻元件特性的表达式为,i、u的单位分别为A、V,并设uS=25V,ΔuS=0.15sin(ωt+30°)V,R=2Ω。试用小信号分析法求电流i。