A.(1)(2)均为n型半导体;(3)(4)均为p型半导体
B.(1)(3)均为n型半导体;(2)(4)均为p型半导体
C.(1)(3)均为p型半导体;(2)(4)均为n型半导体
D.(1)(2)均为p型半导体;(3)(4)均为n型半导体
A.GCA成立条件是沿沟道方向(电流前进方向)电场强度远小于栅感应电场(半导体表面电场)
B.强反型时可以用GCA,但亚阈值时不能用GCA
C.用了GCA后,反型电荷面浓度与沟道中位置无关
D.用了GCA后,可以把二维问题转化为一维
A.费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动
B.费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动
C.费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动
D.费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动