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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是哪一个（)

A.SR

B.GTO

C.GTR

D.P-MOSFET

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第1题

半导体存储器速度最快的是（)。A．EPROMB．DRAMC．SRAMD．FLASH MEMORY

半导体存储器速度最快的是()。

A．EPROM

B．DRAM

C．SRAM

D．FLASH MEMORY

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第2题

PWM技术是通过控制半导体开关器件的通断时间，在输出端获得PWM波形，从而实现控制输出电压的大小和频率来改善输出波形的一种技术。（)

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第3题

下列器件中，不存在二次击穿现象的功率半导体器件是？（)

A.scr

B.mosfet

C.GT-R

D.Igbt

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第4题

半导体器件中MOSFET的中文名称为()。

半导体器件中MOSFET的中文名称为（)。

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第5题

目前下列存储器中，____________存取数据的速度最快。

A.RAM

B.Cache

C.硬盘

D.高密软盘

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第6题

下列存储介质中，存取速度最快的是（).

A.高速缓存

B.CPU内部寄存器

C.内存

D.外部存储器

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第7题

在计算机内部，下列数据传送方式中，速度最快的是（)。

A.中断方式;

B.查询方式;

C.DMA方式。

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第8题

下列哪些技术的发展促进了红外焦平面成像器件的诞生？（)‎

A.硅集成技术

B.半导体精密光刻技术

C.先进的薄膜材料生长技术

D.制冷技术

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第9题

随着半导体器件与集成技术在传感器中的应用，传感器的信号调理转换电路与（)集成在同一芯片上，安装在传感器的壳体里。

A.敏感元件

B.光栅头

C.光栅尺

D.编码器

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第10题

下列不属于负载的器件是（)。

A.电源

B.照明灯具

C.家用电器

D.断路器

E.机床

F.电磁开关

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第11题

单相可控硅是具有3个PN结的四层半导体器件。（)

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