已知某霍尔传感器的激励电流I=3A,磁场的磁感应强度B=5×10-3T,导体薄片的厚度d=2mm,霍尔常数RH=0.5,试求薄片导体产生的霍尔电势UH的大小。
电路如下图所示,已知:IS1=3A,IS2=2A,IS3=IA,R1=6Ω,R2=5Ω,R3=7Ω。用基尔霍夫电流定律求电流,I1、I2和I3。
磁路结构如下图所示,设磁铁长度L、横截面积Sm、工作气隙外径D、内径d及长度h皆为已知,并假设永久磁铁材料已经确定,试叙述求气隙中的磁通和磁场强度的方法与步骤。
在自由空间中,已知电场E(z,t)=10ey3sin(ωt-βz)V/m,试求磁场强度H(z,t)。
如图所示电路,N为含有独立源的线性电路。如已知:当us=0时,电流i=4mA;当us=10V时,电流i=-2mA。求当us=-15V时的电流i。
如习题4-3图(a)所示电容中电流i的波形如图(b)所示,已知uC(0)=0,试求t=1s,t=2s和t=4s时电容电压uC。