题目内容
（请给出正确答案）
A.最大整流电流：管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流
B.正向压降：二极管正向导通后的压降，一般情况，硅管的正向压降为0.2V左右
C.反向电流：指管子未击穿时的反向电流，这个值越小，管子的单向导电性越好
D.极间电容：PN结存在扩散电容和势垒电容，极间电容是反映二极管中PN結电容效应的参数，它是扩散点燃和势垒电容之和
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
更多“关于半导体二极管的主要参数，下列说法不正确的是()。”相关的问题
A.内存速度用进行一次读或写操作所花费的“访问时间”来描述
B.DRAM的主要参数有两个：存储容量和工作频率，工作频率反映了存储器读写单元的速度
C.动态存储器(DRAM)集成度低，生产成本高，一般用在比内存小得多的高速缓冲存储器等场合
D.断电后RAM中的内容全部丢失，目前使用的RAM多数为MOS型半导体集成电路
A.新材料有利于传感器小型化
B.新材料、新工艺使得传感器技术越来越成熟
C.现代传感器朝着光机电一体化的方向发展
D.金属材料、半导体材料、光纤材料、纳米材料都是传统传感器材料
A.知识产权在独占性、专有性和排他性弱于物权
B.物权可通过事实占有方式实现，而知识产权则须仰仗法律的保障
C.当知识产权与物权发生冲突时，物权通常要让位于知识产权
D.知识产权的期限在法律上有明确规定，而物权的期限则与物的自然寿命竞合
