电平为读,低电平为写)。现有下列存储芯片:1K×4位RAM,4K×8位RAM,2K×8位ROM,以及74138译码器和各种门电路,如图所示。画出CPU与存储器连接图,要求:1.主存地址空间分配:8000H~87FFH为系统程序区;8800H~8BFFH为用户程序区。
2.合理选用上述存储芯片,说明各选几片?
3.详细画出存储芯片的片选逻辑。
源电压VDD,静态栅源电压VGS,漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ值;(2) 已知Rg1=200kQ,Rg2等于多少?(3) Rd、RL的值分别为多少?(4) 输出电压的最大不失真幅度Vom(设vi为正弦信号)。
A.通过调整主光栅和指示光栅的夹角,可得到很大的莫尔条纹宽度,起到了放大作用
B.通过减小光栅常数,也可得到很大的莫尔条纹宽度,起到了放大作用
C.光电元件接收的是在一定长度范围内所有刻线产生的条纹,对光栅刻线的误差起到了平均作用
D.莫尔条纹的光强度变化近似正弦变化,便于将信号作进一步细分
A.地下车站和隧道结构外边线外侧五十米内
B.地面和高架车站、地面和高架线路结构外边线外侧三十米内
C.城市轨道交通过河隧道、桥梁结构外边线两侧一百米内
D.主变电所外部电源电缆沟道壁外侧五米范围内
E.出入口、风亭、冷却塔、集中供冷站、主变电所、控制中心、地面站房等建筑物、构筑物外边线和车辆段(停车场)用地范围外侧十米内