A.缩短新型航空航天装备的研发周期
B.提高材料的利用率,节约昂贵的战略材料,降低制造成本
C.优化零件结构,减轻重量,减少应力集中,增加使用寿命
D.替代传统制造技术,实现高精尖技术转型
A.激励电极与霍尔电极接触不良,形成非欧姆接触
B.半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或几何尺寸不均匀
C.霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上
D.激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等
A.不考虑Si-SiO2界面的结构
B.不考虑金属和半导体之间的功函数之差
C.金属和半导体之间不会通过SiO2层交换电子
D.都正确