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[单选题]

制造霍尔元件的理想材料是()。

A.金属

B.半导体

C.绝缘体

D.晶体

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第1题
利用半导体制造的()技术,将敏感元件和应变材料合二为一制成()传感器。
利用半导体制造的()技术,将敏感元件和应变材料合二为一制成()传感器。

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第2题
金属3D技术作为一项全新的制造技术,其在航空航天领域的应用优势突出,下列能体现其优势的是?()

A.缩短新型航空航天装备的研发周期

B.提高材料的利用率,节约昂贵的战略材料,降低制造成本

C.优化零件结构,减轻重量,减少应力集中,增加使用寿命

D.替代传统制造技术,实现高精尖技术转型

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第3题
减小霍尔元件的输出不等位电势的办法是()。

A.减小激励电流

B.减小磁感应强度

C.使用电桥调零电位器

D.降低灵敏度

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第4题
安装在气缸外侧的()检测气缸活塞位置,即检测活塞的运动行程。

A.磁性开关

B.霍尔元件

C.压力阀

D.节流阀

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第5题
霍尔元件温度误差产生原因及补偿方法

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第6题
金属或半导体薄片置于磁场中,当有电流流过时,在平行于电流和磁场的方向上将产生电动势,这种物理现象称为霍尔效应。()

此题为判断题(对,错)。

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第7题
压力表是依据表内敏感元件弹性变形制造的,其中敏感元件不包括()。

A.波登管

B.膜盒

C.波纹管

D.机芯

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第8题
霍尔电势不等位电势产生的主要原因不包括()。

A.激励电极与霍尔电极接触不良,形成非欧姆接触

B.半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或几何尺寸不均匀

C.霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上

D.激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等

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第9题
由于1151变送器采用金属密封电容感测元件进行压力(差压)测量,较难消除机械传动及振动,冲击的影响。()
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第10题
以下关于理想MOS结构的说法中,正确的是()。

A.不考虑Si-SiO2界面的结构

B.不考虑金属和半导体之间的功函数之差

C.金属和半导体之间不会通过SiO2层交换电子

D.都正确

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第11题
根据《2020年信贷政策》,以下行业中不属于逐步压缩行业的是()。

A.钢铁

B.金属及金属矿批发

C.铁路运输业

D.水泥制造

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