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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

为了减小单沟道MOS集成倒相器导通时的输出电压，要求负载管的跨导_些，倒相管的跨导_些。

A.大，大

B.大，小

C.小，大

D.小，小

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第1题

该MOS管的沟道性质和类型是什么？

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第2题

步进电机高低压功率驱动接口的设计思想是，使导通相绕组的电流不论在锁定、低频、高频工作时均保持固定数值。（)

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第3题

已知某N沟道MOS管的K_n=0.25mA/V²，V_TN=1V，λ=0，C_gd=0.04pF，C_gn=0.2pF。设其偏置电压V_GSQ=3V，试求其单位增益带宽f_T。

已知某N沟道MOS管的K_n=0.25mA/V²，V_TN=1V，λ=0，C_gd=0.04pF，C_gn=0.2pF。设其偏置电压V_GSQ=3V，试求其单位增益带宽f_T。

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第4题

为触发晶闸管导通所需的触发脉冲，可以由分立元件接触发电路产生，也可由成品集成触发电路芯片产生。（)

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第5题

如图6－10所示，单相交流调压，如果采用具有强迫换流机能的晶闸管，也会改善电源功率因数及减小高次谐波，例如采

如图6-10所示，单相交流调压，如果采用具有强迫换流机能的晶闸管，也会改善电源功率因数及减小高次谐波，例如采用可关断晶闸管GTO。若门极在ωt=α时，加导通信号，在ωt=π-α时加关断信号，回答下列问题：

(1) 画出负载电压波形。

(2) 求出u₁的有效值U₁。

(3) α=π/6时，求电源功率因数及基波功率因数。

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第6题

单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（)

A.V1与V4导通，V2与V3关断

B.V1常通，V2常断，V3与V4交替通断

C.V1与V4关断，V2与V3导通

D.V1常断，V2常通，V3与V4交替通断

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第7题

M5卷烟机盘纸拼接头检查器在（)。

A.SE拉纸辊处

B.SE卷烟纸输入口处

C.BOB1下方导辊处

D.SE小压板处

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第8题

电雷管的电阻测量，必须采用（)。

A.专用爆破电桥

B.万用表

C.导通器

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第9题

三相半波整流中，在一个周期内每相轮流导通（)次。

A.1

B.2

C.3

D.4

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第10题

以下关于MOS管跨导的说法中，错误的是（)。

A.跨导反映外加栅极电压控制漏-源电流的能力

B.跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化

C.跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力

D.MOS管的跨导越大，电压增益也越大

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第11题

MOS管的栅极与双极型三极管的（)相对应。

A.基极

B.集电极

C.发射极

D.发射极或集电极

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