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第2题
如图6－10所示，单相交流调压，如果采用具有强迫换流机能的晶闸管，也会改善电源功率因数及减小高次谐波，例如采
如图6-10所示，单相交流调压，如果采用具有强迫换流机能的晶闸管，也会改善电源功率因数及减小高次谐波，例如采用可关断晶闸管GTO。若门极在ωt=α时，加导通信号，在ωt=π-α时加关断信号，回答下列问题：
(1) 画出负载电压波形。
(2) 求出u1的有效值U1。
(3) α=π/6时，求电源功率因数及基波功率因数。
第8题
电路如图题2.1.1所示，运放的设输出电压的最大饱和电压值±Vom=±11V.(1)如果vP=25μV,vN=
电路如图题2.1.1所示，运放的设输出电压的最大饱和电压值±Vom=±11V.（1)如果vP=25μV,vN=
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电路如图题2.1.1所示，运放的
设输出电压的最大饱和电压值±Vom=±11V.(1)如果vP=25μV,vN=100μV,试求输出电压v0=？实际上v0应为多少？(2)设Vom=±11V,画出它的传输特性。
第9题
已知电路如图题4.3.3a(主教材图4.3.7a)所示，该电路的交，直流负载线绘于图题4.3.5中。试求：(1)电
已知电路如图题4.3.3a（主教材图4.3.7a)所示，该电路的交，直流负载线绘于图题4.3.5中。试求：（1)电
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源电压VDD，静态栅源电压VGS，漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ值;(2) 已知Rg1=200kQ，Rg2等于多少？(3) Rd、RL的值分别为多少？(4) 输出电压的最大不失真幅度Vom(设vi为正弦信号)。
第11题
一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：(1)该管
一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示（其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：（1)该管
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一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：
(1)该管是耗尽型还是增强型？
(2)是N沟道还是P沟道FET？
(3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP还是开启电压V？其值等于多少？
