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[主观题]

在图LP4-2所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7V,ICBO=10-15A,试求:室

在图LP4-2所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7V,ICBO=10-15A,试求:室

温下ICQ、VCEQ值,温度升高40℃、降低60℃两种情况下VCEQ值,并分析其工作模式.

在图LP4-2所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7V,ICBO=10-15

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第1题
在图4-62所示电路中,已知(W/l)10=1.5/0.3,ID9=2ID5,ID5=ID6=360μA,ID10=90μA。试求T5、T6、T8、T9各管的沟道宽

在图4-62所示电路中,已知(W/l)10=1.5/0.3,ID9=2ID5,ID5=ID6=360μA,ID10=90μA。试求T5、T6、T8、T9各管的沟道宽长比。设器件的μnCox=2μnCox,|VGS(th)|均相同,沟道长度调制效应忽略不计。

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第2题
在图4-59所示的电路中,已知。

在图4-59所示的电路中,已知

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第3题
图所示对称三相电路中,已知。

图所示对称三相电路中,已知

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第4题
图(a)所示电路中,已知,试求u2(t)。

图(a)所示电路中,已知,试求u2(t)。

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第5题
图14-33所示的电路中,已知

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第6题
习题9-16图所示电路中,已知∞一lOOOrad/s,求、和。

习题9-16图所示电路中,已知∞一lOOOrad/s,求

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第7题
图6-64所示正弦电路中,已知R=40Ω,ωL=60Ω,ωM=20Ω,,,=。试求和。

图6-64所示正弦电路中,已知R=40Ω,ωL=60Ω,ωM=20Ω,=。试求

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第8题
用理想集成运放组成的对数变换器如图6-11所示,已知VCC=10V,R6=1MΩ,R1=10kΩ,(R3+R4)/R3=16.8。设各管特性相同

用理想集成运放组成的对数变换器如图6-11所示,已知VCC=10V,R6=1MΩ,R1=10kΩ,(R3+R4)/R3=16.8。设各管特性相同,β足够大,试在室温时,

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第9题
图(a)所示运放电路中,已知us=3e-5tε(t)V,求输出电压uo(t),t>0。

图(a)所示运放电路中,已知us=3e-5tε(t)V,求输出电压uo(t),t>0。

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第10题
在图LP3-2所示电路中,假设两管p0、Cok相同,VGS(th)=0.75V,ID2=1mA若忽略沟道长
在图LP3-2所示电路中,假设两管p0、Cok相同,VGS(th)=0.75V,ID2=1mA若忽略沟道长

度调制效应,并设T1管的沟道宽长比(W/l)是T2管的5倍.试问流过电阻R的电流IR值.

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第11题
图所示稳态电路中,所有电压源的角频率均为ω=105rad/s,但它们的大小和相位均未给出。已知当R=1.5kΩ时,;C=0.04

图所示稳态电路中,所有电压源的角频率均为ω=105rad/s,但它们的大小和相位均未给出。已知当R=1.5kΩ时,;C=0.04μF,其他参数如图所示。求R=0.5kΩ时,电流的值。

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