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第1题
芯片是由半导体材料制作而成的，其基本元器件是：（)。
A.硅元素
B.由PN结构成的二极管
C.硅晶圆
D.门电路
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第2题
晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。（)
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第5题
加大PN结的反向电压到某一值时，反向电流突然剧增，这种现象叫PN结（)。
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第6题
PN结的电容由势垒电容和（)电容两部分组成。
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第7题
二板管有()个PN结，三极管有()PN结。
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第8题
PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。（)
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第9题
单相可控硅是具有3个PN结的四层半导体器件。（)
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第10题
金属和半导体接触的整流特性可用于？（)
A.制作肖特基势垒二极管
B.制作PN结二极管
C.给半导体器件接出金属引线
D.制作晶体管
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第11题
常见的光生伏特效应有？（)
A.PN结光生伏特效应
B.体内光生伏特效应(丹倍效应)
C.光磁电效应
D.肖特基势垒光生伏特效应
E.电磁光效应
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