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[单选题]

在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于()。

A.材料

B.温度

C.压力

D.掺杂浓度

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第1题
在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。

A.温度

B.掺杂工艺

C.掺杂浓度

D.压力

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第2题
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时,处于哪种状态?()

A.多子积累

B.少子积累

C.多子耗尽

D.少子反型

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第3题
以下物理参量中,不随半导体掺杂浓度变化的是?()

A.半导体的导带底

B.半导体的电子亲和能

C.半导体的费米能级

D.半导体的功函数

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第4题
对于p型半导体,费米能级随掺杂浓度的变化情况为:()。

A.费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动

B.费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动

C.费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动

D.费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动

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第5题
如果以单晶砷作基质,掺杂硒后是什么类型的半导体?掺杂锗后是哪类半导体?为什么?

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第6题
关于准费米能级,以下说法正确的是:()。

A.电子准费米能级与空穴准费米能级之间的偏离程度反映了系统偏离热平衡态的程度

B.多子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小

C.少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很大

D.多子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很大

E.少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小

F.当电子的准费米能级和空穴的准费米能级重合时,半导体处于非平衡态

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第7题
如果(1)硅用铝(3价)、(2)硅用磷(5价)参杂;而(3)锗用铟(3价)、(4)锗用锑(5价)掺杂;则分别获得半导体属于下述类型正确的是()。

A.(1)(2)均为n型半导体;(3)(4)均为p型半导体

B.(1)(3)均为n型半导体;(2)(4)均为p型半导体

C.(1)(3)均为p型半导体;(2)(4)均为n型半导体

D.(1)(2)均为p型半导体;(3)(4)均为n型半导体

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第8题
以下关于“热平衡状态”和“非平衡状态”的描述正确的是()。
A、半导体处于热平衡状态时,有确定的载流子浓度,即平衡载流子

B、半导体处于热平衡状态时,整个材料具有统一的费米能级

C、半导体处于热平衡状态时,载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡

D、在外界作用下,半导体中额外产生了载流子,即非平衡载流子,半导体进入非平衡状态

E、在外界作用下,如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡,载流子浓度具有确定的值,此时半导体为热平衡态

F、在外界作用下,稳定时,载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡,载流子浓度具有确定的值,但此时半导体为非平衡态

G、半导体处于非平衡态时,整个材料不具有统一的费米能级

H、半导体处于非平衡态时,导带电子的分布用导带准费米能级表征,价带空穴的分布用价带准费米能级表征

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第9题
汽油机排气污染的排放浓度主要取决于空燃比。()

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第10题
秸秆在土壤中的分解速度主要取决于纤维素的含量。()

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第11题
血浆中的游离脂肪酸浓度不仅取决于______的动员程度,也取决于肝摄入______的速度。
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