片内RAM40H开始的单元内有10字节的二进制数,下面程序是完成找出其中最大值并存于50H单元中。
START:MOV R0,#40H ;数据块首地址送R0
MOV R7,#09H ;比较次数送R7
MOV A,R0 ;取数送A
LOOP: INC R0
MOV 30H,@R0 ;取数送30H
CJNE A,30H,NEHT ;(A)与(30H)相比
NEXT:JNC BIE1 ;(A)≥(30H)转BIR1
MOV A,30H ;(A)<(30H),大数送A
BIE1: DJNZ R7,LOOP ;比较次数减1,不为0,继续比较
MOV 50H,A ;比较结束,大数送50H
RET
错误:______
改正:______
参考答案:错误
A.背金属脱落不会造成产品电性能不良
B.单个芯片镀层脱落≥10%为不良
C.整个圆片镀层脱落≥10%为不良
D.整个圆片镀层脱落≥20%为不良
E.背银脱落不需反馈,可以正常流通
A.△h=1.699m
B.△h=1.274m
C.△h=1.019m
D.△h=1.133m
A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批
B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时,如果顶针痕迹不清晰,未造成明显的不良,则判定为合格
C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时,如有顶针印记,则判断为不良
D.在监控顶针痕迹时,必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控,不允许使用镊子从兰膜上直接夹取