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[单选题]

取片为MAP取片的产品首片晶圆由几个生产组长核对()。

A.1

B.2

C.不用核对

D.3

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第1题
MAP产品首片晶圆必须由()人进行核对。

A.1

B.2

C.3

D.4

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第2题
片内RAM40H开始的单元内有10字节的二进制数,下面程序是完成找出其中最大值并存于50H单元中。START

片内RAM40H开始的单元内有10字节的二进制数,下面程序是完成找出其中最大值并存于50H单元中。

START:MOV R0,#40H ;数据块首地址送R0

MOV R7,#09H ;比较次数送R7

MOV A,R0 ;取数送A

LOOP: INC R0

MOV 30H,@R0 ;取数送30H

CJNE A,30H,NEHT ;(A)与(30H)相比

NEXT:JNC BIE1 ;(A)≥(30H)转BIR1

MOV A,30H ;(A)<(30H),大数送A

BIE1: DJNZ R7,LOOP ;比较次数减1,不为0,继续比较

MOV 50H,A ;比较结束,大数送50H

RET

错误:______

改正:______

参考答案:错误

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第3题
小分子量阳离子聚合物对粘土的抑制作用是因为它()。

A.在粘土片表面吸附

B.在粘土片晶层间吸附

C.在粘土片端面吸附

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第4题
生产组长在更换MAP产品时需要()

A.扫描条码调取正确的mapping程序

B.核对mapping文件名包括批号

C.片号

D.map旋转方向

E.参考点

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第5题
背金属晶圆(背金或背银)背金属如有脱落,下面哪些说法是正确的()。

A.背金属脱落不会造成产品电性能不良

B.单个芯片镀层脱落≥10%为不良

C.整个圆片镀层脱落≥10%为不良

D.整个圆片镀层脱落≥20%为不良

E.背银脱落不需反馈,可以正常流通

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第6题
选择点击()菜单按钮,设备粘片只粘取框架的一列。

A.OneLFBond

B.OneDieBond

C.OneUnitBond

D.OneColumnBond

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第7题
在某工厂中有甲、乙、丙三台机器生产同一型号的产品,它们的产量各占35%,40%,25%,并且在各自的产品中废品率分别为3%,2%,1%.(1)求从该厂的这种产品中任取一件是废品的概率;(2)若任取一件是废品,求它是由丙生产的概率.
在某工厂中有甲、乙、丙三台机器生产同一型号的产品,它们的产量各占35%,40%,25%,并且在各自的产品中废品率分别为3%,2%,1%.(1)求从该厂的这种产品中任取一件是废品的概率;(2)若任取一件是废品,求它是由丙生产的概率.

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第8题
BLT测量时机有哪些()。

A.更换产品

B.更换粘片胶

C.更换点胶头

D.更换晶圆

E.更换框架

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第9题
背金属芯片,整片晶圆芯片背金属脱落超过()为不良
背金属芯片,整片晶圆芯片背金属脱落超过()为不良

A、0.05

B、0.1

C、0.15

D、0.2

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第10题
某岸坡式溢洪道由进水渠、控制段、泄槽段、挑流鼻坎及出水渠五部分组成,由于地形地质条件限制,泄槽段需要设置矩形急流弯道段(简单圆曲线),已知:弯道处泄槽宽度为48.00m,弯道中心线曲率半径取规范规定的中值,弯道处流速为10.00m/s,重力加速度取9.81m/s2。采用经验公式估算弯道段外侧水面与中心线最大横向水面差是( )。

A.△h=1.699m

B.△h=1.274m

C.△h=1.019m

D.△h=1.133m

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第11题
关于上芯顶针痕迹监控项目,描述错误的有:()。

A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批

B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时,如果顶针痕迹不清晰,未造成明显的不良,则判定为合格

C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时,如有顶针印记,则判断为不良

D.在监控顶针痕迹时,必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控,不允许使用镊子从兰膜上直接夹取

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