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第11题
求解下列问题：(1)已知一NMOS管的W/L=10，IDQ=0.1mA，VTN=0.5V，K'n=387μA/V2 ，
求解下列问题：（1)已知一NMOS管的W/L=10，IDQ=0.1mA，VTN=0.5V，K'n=387μA/V2，
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求解下列问题：(1)已知一NMOS管的W/L=10，IDQ=0.1mA，VTN=0.5V，K'n=387μA/V2，沟道长度调制效应可忽略。试求VGSQ的值。(2)已知一NPN型BJT的lEQ=0.1mA，IES=6x10-15mA ，基区宽度调制效应可忽略。试求VBEQ的值。
