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与硅系薄膜不同,由于CIGS是()的材料,因此不能用激光加工,可用机械扫描。

与硅系薄膜不同,由于CIGS是()的材料,因此不能用激光加工,可用机械扫描。

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第1题
薄膜电池材料包括()。

A.多晶硅(微晶硅)薄膜

B.CdS薄膜

C.非晶硅薄膜

D.CuInSe2(CuInS2)薄膜

E.CdTe

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第2题
薄膜电池材料目前不包括()。

A.非晶硅薄膜

B.CuInSe2(CuInS2)薄膜

C.单晶硅薄膜

D.多晶硅(微晶硅)薄膜

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第3题
直拉单晶硅和()应用最为广泛,占太阳能光电材料的90%左右。

A.铸造多晶硅

B.薄膜非晶硅

C.带状多晶硅

D.薄膜多晶硅

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第4题
CIGS太阳能电池,在室外对太阳光暴露时,可以表现出极其()的性能,不存在非晶硅太阳能电池所看到的光致衰退现象
CIGS太阳能电池,在室外对太阳光暴露时,可以表现出极其()的性能,不存在非晶硅太阳能电池所看到的光致衰退现象

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第5题
CIGS具有优良的(),极有可能成为宇宙空间太阳能材料。
CIGS具有优良的(),极有可能成为宇宙空间太阳能材料。

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第6题
关于质点组的动量、动能和角动量,下列说法错误的是()。

A.质点组的动量等于质点组总质量与质心速度的乘积

B.质点组的动能等于质心的动能与各质点对于质心动能之和

C.由于质心系可能是一个非惯性系,所以质点组相对于质心系和相对于惯性系的动量、角动量有不同的形式

D.质点组相对于质心系的动量为零

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第7题
电阻炉中常用的电热元件材料有______,0Cr25Al5优于Cr20Ni80的原因______。a.铁铬铝系b.镍铬系c
.石墨d.碳化硅e.二硅化钼f.合金及贵重合金质量分数低g.电阻率高h.电阻率低i.W允高J.W允低k.工作温度高l.工作温度低m.电热元件长方便布置n,电热元件短便于布置

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第8题
依据所用半导体材料不同,通常分为()。

A.硅电池

B.硫化镉电池

C.砷化镓电池

D.以上都是

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第9题
将下列薄膜太阳电池种类一一对应。1).硅薄膜A、非晶硅B、高分子C、碲化镉2).化合物薄膜A、非晶硅B、

将下列薄膜太阳电池种类一一对应。

1).硅薄膜

A、非晶硅

B、高分子

C、碲化镉

2).化合物薄膜

A、非晶硅

B、高分子

C、碲化镉

3).有机染料

A、非晶硅

B、高分子

C、碲化镉

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第10题
液压试验时,压力容器壳体的环向薄膜应力值不得超过试验温度下材料屈服点的90%与圆筒的焊接接头系数的乘积。()
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第11题
不透明幕墙多采用()组件。

A.CuInSe2(CuInS2)薄膜

B.多晶硅

C.单晶硅

D.非晶硅

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