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[主观题]

某环形VCO为6级结构,每级单元电路为图9.58所示的MOS差分放大器,其中每只NMOS管的VTH=0.5V,k=0.1mA/V2,CDS=7pF,VDD=5V。若控制电压Vcon=3~4V,求输出频率范围和压控灵敏度K。某环形VCO为6级结构,每级单元电路为图9.58所示的MOS差分放大器,其中每只NMOS管的VTH=

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第1题
图6.3.1是某PROM电路编程后的结构示意图。 (1)根据电路结构示意图,分析地址单元0~3中存储的

图6.3.1是某PROM电路编程后的结构示意图。 (1)根据电路结构示意图,分析地址单元0~3中存储的内容,列出PROM的地址与存储内容对应关系的真值表。 (2)若把A1、A0看作输入变量,数据码D3、D2、D1、D0作为输出函数,试分别写出D3、D2、D1、D0的表达式。

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第2题
低压缸为双分流结构,蒸汽从通流部分的中部流入,经过正反向各()反动级后,从两个排汽口向下排入凝汽器。

A.6级

B.7级

C.8级

D.5级

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第3题
试分析图所示电路,说明电路功能和每级触发器Q端输出的权值。

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第4题
某S接线器,交叉矩阵为1024×1024,则CM每单元所存储的数据为( )bit。

A.8

B.9

C.10

D.32

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第5题
2030集成功率放大器的一种应用电路如图题9.6.2所示,假定其输出级BJT的饱和压降VCES可以忽
略不计,v1为正弦电压。(1)指出图题9.6.2是属于OTL还是OCL电路;(2)求理想情况下最大输出功率Pom;(3)求电路输出级的效率η。

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第6题
图是某MSI计数芯片的应用电路,设VD为理想二极管,R1=R2=5.1kΩ,C=0.1μF。

图是某MSI计数芯片的应用电路,设VD为理想二极管,R1=R2=5.1kΩ,C=0.1μF。

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第7题
图LP4-9所示为某集成电路的部分内部原理电路,已知各管的β值很高,输入端输出端

图LP4-9所示为某集成电路的部分内部原理电路,已知各管的β值很高,

输入端输出端

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第8题
图LPS5-5(a)所示电流并联负反馈电路中,输入正弦信号电压幅值为10mV.(1)试绘制源电压增益的幅
图LPS5-5(a)所示电流并联负反馈电路中,输入正弦信号电压幅值为10mV.(1)试绘制源电压增益的幅

图LPS5-5(a)所示电流并联负反馈电路中,输入正弦信号电压幅值为10mV.(1)试绘制源电压增益的幅频特性和相频特性.(2)按每10倍频取10点的方式,频率从100Hz变化到100MHz,试绘制输入阻抗的幅频特性.(3)求频率为1kHz时的Rif值.

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第9题
MC2833为集成调频发射机器件,输出功率可达10mW,允许电源电压范围为2.3-9V。现欲将它接成一发射
机,要求输出fc=49.7MHz、P0=2mW的调频信号,图NP5-8(a)所示为该器件的内部组成和相应的外接电路,试据此画出其推动级和末级功放的电路图,并回答下列问题:

(1)如何增大输出功率?

(2)增大调制电压能否增大线性频偏,为什么?

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第10题
图8.2.3所示的为某时序电路的框图和输入X与输出F1~F4关系的波形图,试设计该电路。

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