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[主观题]

假定8-26图中分组流1的漏桶权标装入速率r11(∑wi,试证明:(8—2)式给出的dmax实际上是分组流1中任何

假定8-26图中分组流1的漏桶权标装入速率r11(∑wi,试证明:(8—2)式给出的dmax实际上是分组流1中任何分组在WFQ对列中所经受的最大时延。

假定8-26图中分组流1的漏桶权标装入速率r11(∑wi,试证明:(8—2)式给出的dmax实际上是

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第1题
考虑8.4.2节讨论的管制分组流的平均速率和突发长度的漏桶管制器。现在我们限制其峰值速率p分组/秒
。试说明怎样把一个漏桶管制器的输出流入到第二个漏桶管制器的输入,以便用这样串接的两个漏桶能够管制分组的平均速率、峰值速率以及突发长度。第二个漏桶的大小和权标产生的速率应当是怎样的?

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第2题
如图8-26所示,一内外半径分别为 的均匀带电平面圆环,电荷面密度为 其中心处有一半径为r的导体

如图8-26所示,一内外半径分别为如图8-26所示,一内外半径分别为 的均匀带电平面圆环,电荷面密度为 其中心处有一半径为r的导体如图的均匀带电平面圆环,电荷面密度为如图8-26所示,一内外半径分别为 的均匀带电平面圆环,电荷面密度为 其中心处有一半径为r的导体如图其中心处有一半径为r的导体小圆环如图8-26所示,一内外半径分别为 的均匀带电平面圆环,电荷面密度为 其中心处有一半径为r的导体如图》r),而环同心共面,设带电圆环以变角速如图8-26所示,一内外半径分别为 的均匀带电平面圆环,电荷面密度为 其中心处有一半径为r的导体如图绕垂直于环面的中心轴旋转.求导体小圆环中的感应电流I的大小和方向(已知小环的电阻为R0).

如图8-26所示,一内外半径分别为 的均匀带电平面圆环,电荷面密度为 其中心处有一半径为r的导体如图

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第3题

在下图中,假定V为理想二极管,u为正弦交流电压,有效值为100V,宜流电压表的内阻为10kΩ,则其读数接近于()V。

在下图中,假定V为理想二极管,u为正弦交流电压,有效值为100V,宜流电压表的内阻为10kΩ,则其读

A.22.5;

B.25;

C.35.4;

D.100V。

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第4题
唾液样本采集注意事项()

A.尽量保证少的杂质、保证唾液的清亮、防止漏液

B.在计划采集唾液样本的猪群在前晚停料不停水

C.采集的唾液与核酸保护剂1:1装入离心管中,进行运输

D.采集完的唾液尽快运输到实验室(不超过24小时),如不能及时送达,-20℃冷冻保存

E.公猪可以单独采样

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第5题
如下图所示,某学院的以太网交换机有三个接口分别和学院三个系的以太网相连,另外三个接口分别和电子邮件服务器、万维网服务器以及一个连接互联网得路由器相连。图中A,B和C都是100Mbit/s以太网交换机。假定所有得链路得速..

如下图所示,某学院的以太网交换机有三个接口分别和学院三个系的以太网相连,另外三个接口分别和电子邮件服务器、万维网服务器以及一个连接互联网得路由器相连。图中A,B和C都是100Mbit/s以太网交换机。假定所有得链路得速率都是100Mbit/s,并且图中得9台主机中得任何一个都可以和任何一个服务器或主机通信。试计算这9台主机和两个服务器产生得总的吞吐量的最大值。为什么?如下图所示,某学院的以太网交换机有三个接口分别和学院三个系的以太网相连,另外三个接口分别和电子邮件服

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第6题
假定某图样的基本线宽为b,则图中采用粗线、中线、细线的线宽比例应为1:0.5:0.25。()
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第7题
某路由器的IP地址是125.45.23.12,它在以太网上的物理地址为2345AB4F67CD,它收到了一个分组,分组

某路由器的IP地址是125.45.23.12,它在以太网上的物理地址为

2345AB4F67CD,它收到了一个分组,分组中的目的IP地址是125.11.78.10。

(1)试给出这个路由器发出的ARP请求分组中的各项目。假定不划分子网。

(2)假定目的主机在以太网上的物理地址为AABBA24F67CD,试给出目的主机发送的ARP响应分组中的各项目。

(3)将问题1的结果封装成数据链路层的帧,试填充所有的字段。

(4)将问题2的结果封装成数据链路层的帧,试填充所有的字段。

某路由器的IP地址是125.45.23.12,它在以太网上的物理地址为2345AB4F67CD,它收

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第8题
GB/T15852.1-2008《信息技术安全技术消息鉴别码第1部分:采用分组密码的机制》:消息鉴别码算法通常采用的底层模块包括哪些?()

A.分组密码

B.专用杂凑函数

C.泛杂凑函数

D.流密码

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第9题
一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问:(1)该管
一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问:(1)该管

一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问:

(1)该管是耗尽型还是增强型?

(2)是N沟道还是P沟道FET?

(3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP还是开启电压V?其值等于多少?

一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问:(

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第10题
在弹簧秤上挂一个小铁桶,桶内装入一些水,不要太满。这时弹簧秤指到某一刻度,如果将手指插入水中不动,手指不与桶底相接触,那么弹簧秤的示数将增加。这是为什么?
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