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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

下列PN结两端的电位值,使PN结导通的是()。

A.P端接+5V,N端通过一电阻接+7V

B.N端接+2V,P端通过一电阻接+7V

C.P端接-3V,N端通过一电阻接+7V

D.P端接+1V,N端通过一电阻接+6V

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第1题
PN结正偏时导通,反偏时截止,所以PN结具有单向导电性。()
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第2题
下列选项中,不属于对PN结空间电荷区放电的是()。

A.在PN结上的正向电压减小

B.在PN结上的反向电压增加

C.使空间电荷区势垒宽度增加

D.使载流子从半导体流入空间电荷区

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第3题
PN结外加P正N负的电压时,其正向导通。()
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第4题
若给PN结两端加反向电压时,空间电荷区将()。

A.变窄

B.基本不变

C.变宽

D.无法确定

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第5题
锗pn结的正向导通电压大约为()V。

A.0.1

B.0.3

C.0.5

D.0.7

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第6题
加大PN结的反向电压到某一值时,反向电流突然剧增,这种现象叫PN结()。

A.烧坏

B.击穿

C.穿透

D.损坏

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第7题
PN结的净电流为零的原因是:空间电荷区自建电场使载流子的漂移运动和扩散运动达到动态平衡。()
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第8题
下列关于PN结隧道击穿的说法中,错误的是()。

A.势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿

B.隧道击穿也称齐纳击穿

C.隧道击穿发生在重掺杂PN结中

D.隧道击穿的击穿电压温度系数为负

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第9题
pn结的净电流为零的原因是pn结中没有电荷的移动。()
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第10题
单相可控硅是具有3个PN结的四层半导体器件。()
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第11题
PN结的特性是()和()。
PN结的特性是()和()。

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