A.GB3-130/25
B.GB3-260/25
C.BGK-130/25
D.BGK-260/25
A.VDS=0V时,沟道中各点电位相同,沟道厚度各处相同,IDS=0
B.VDS=2V时,漏端沟道厚度比源端厚,但相差不大可近似看成均匀
C.VDS从2V变为4V时,源端沟道越来越薄,IDS随VDS上升减慢
D.VDS=4V时,沟道进入夹断的临界状态,MOS管由导通变为截止
A.长度超过15mm且深度超过2mm
B.长度超过15mm且深度超过3mm
C.长度超过15mm且深度超过4mm
D.长度超过25mm且深度超过5mm
A.左子树结点个数和右子树结点个数相差不超过1
B.平衡因子为O
C.左子树度数和右子树度数相差不超过1
D.左子树深度(高度)和右子树深度(高度)相差不超过1