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题目内容 (请给出正确答案)
[多选题]

关于圆晶片辐射的超声波,下列说法正确的是 (S为传播距离,N为近场长 度) 正确的是()

A.超声场横截面上中心声压最高

B.当S>3N时,轴线上的声压与传播距离成反比,近似于球面波的规律

C.从晶片辐射的超声波从1.67N开始扩散

D.在近场区,声压分布不均匀,因为存在干涉现象

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BCD

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第1题
探头晶片尺寸越大,辐射的超声波能量也就越大,发现远距离缺陷能力也就越大。()
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第2题
关于超声波的衰减,下列说法错误的是 。 正确的是()

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B.聚焦探头辐射的声波,在材质中的衰减小

C.超声波探伤中所指的衰减仅为材料对声波的吸收作用

D.超声平面波不存在材质衰减

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第3题
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A.晶片直径越大,声束指向性越好

B.晶片直径越小,声束指向性越好

C.频率越高,声束指向性越好

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第4题
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第6题
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第7题
晶片发射的超声波声压,在1.6N以外,与晶片面积S成()比,与波长成()比,因此频率越高,()也越大。
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第8题
超声波直探头主要组成部分有:接头、壳体、保护膜、晶片和()。
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第9题
晶片与探测面平行,使超声波垂直于探测面进入被探材料的检验方法称为()。

A.直射法

B.斜射法

C.表面波法

D.上述三种都不正确

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第10题
尺寸相同,方晶片的指向性要比圆晶片差。()
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第11题
超声波直探头主要组成部分有:接头、壳体、阻尼块、晶片和()。
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