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[主观题]

在习题4.12图所示电路中,已知:ε1=6V,ε2=4.5V,ε3=2.5V,R1=R2=0.52,R3

=2.50,忽略电源内阻,求通过电阻R1,R2和R3的电流.

在习题4.12图所示电路中,已知:ε1=6V,ε2=4.5V,ε3=2.5V,R1=R2=0.52,

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第1题
习题9-16图所示电路中,已知∞一lOOOrad/s,求、和。

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第2题
在图LP6-25(a)所示集成运放电路中,已知IQ=100μA,Cϕ=2pF,试求BWG、SR,将它接成
在图LP6-25(a)所示集成运放电路中,已知IQ=100μA,Cϕ=2pF,试求BWG、SR,将它接成

图LP6-25(b)所示的同相跟随器.试求:

(1)当输入幅度为VS的阶跃电压激勋时,不受转移率限制的最大VS值.

(2)当输入幅度为2V的正弦波激励时,不受转移率限制的最高信号频率.

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第3题
在图4-59所示的电路中,已知。

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第4题
(山东大学2005-2006学年第2学期期末试题)图13—56所示电路工作于非正弦稳态。已知(1)求负载电阻RL

(山东大学2005-2006学年第2学期期末试题)图13—56所示电路工作于非正弦稳态。已知

(1)求负载电阻RL中的电流i(t);(2)试说明负载电阻RL获得的平均功率是含源单口网络输出的最大平均功率。

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第5题
(1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中,若设各NPN型管的β=250,PNP型管的β=50,两种类型晶
(1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中,若设各NPN型管的β=250,PNP型管的β=50,两种类型晶

体三极管的|VA|均为100V,|VBE(on)|=0.7V,并设T23的输入电阻为9.1MΩ,IC17=550μA,|VCC|=|VEE|=15V,试求T16、T17组成的中间增益级的输入电阻R1和电压增益Av

(2)利用上题提供的管子参数,试求F007集成运放内部电路中输入差分级电路的输入电阻Rid和互导增益Ag。设各管rce忽略不计。已知差分放大器的偏置电流为20μA。

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第6题
在图LP4-5所示电路中,已知晶体三极管特性相同,β=100,ΥBE(on)=0.7Υ,要求IEQ1=0.5m
在图LP4-5所示电路中,已知晶体三极管特性相同,β=100,ΥBE(on)=0.7Υ,要求IEQ1=0.5m

A,IEQ2=1mA,ΥCEQ1=2.5Υ,ΥCEQ2=4Υ.设ΥCC=12Υ,ΥCQ2=6Υ,I1=10IBQ,试计算各电阻值,

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第7题
已知LSTTL反相器的静态特性,如图3.4.1所示,且IOH=-400uA,IOL=4 mA;又知图3.4.1(b)电路中,VCC=5 V

已知LSTTL反相器的静态特性,如图3.4.1所示,且IOH=-400uA,IOL=4 mA;又知图3.4.1(b)电路中,VCC=5 V,RC=1 kΩ,三极管β=50,饱和时VCES=0.3 V,VBES=0.7 V。 (1)求Rb=10 kΩ,开关K分别置于0和1处时的VA,VB,VO。 (2)Rb短路,电路能否正常工作?若不能试求出Rb的最小允许值。 (3)为保证电路正常工作,Rb的最大值应为多少?

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第8题
在图LP4-50所示的电流源电路中,已知ΥCC=30Υ,R=30kΩ,T=300K, 试确定R2,并求输出交流电

在图LP4-50所示的电流源电路中,已知ΥCC=30Υ,R=30kΩ,T=300K, 试确定R2,并

求输出交流电阻R0.(补充条件:β=100,|VA|=100VC)

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第9题
图所示对称三相电路中,已知。

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第10题
在图LP4-2所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7V,ICBO=10-15A,试求:室
在图LP4-2所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7V,ICBO=10-15A,试求:室

温下ICQ、VCEQ值,温度升高40℃、降低60℃两种情况下VCEQ值,并分析其工作模式.

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第11题
在图4-62所示电路中,已知(W/l)10=1.5/0.3,ID9=2ID5,ID5=ID6=360μA,ID10=90μA。试求T5、T6、T8、T9各管的沟道宽

在图4-62所示电路中,已知(W/l)10=1.5/0.3,ID9=2ID5,ID5=ID6=360μA,ID10=90μA。试求T5、T6、T8、T9各管的沟道宽长比。设器件的μnCox=2μnCox,|VGS(th)|均相同,沟道长度调制效应忽略不计。

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