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第3题
以GaAs各向同性立方晶体为例，证明当其受到平行于立方体轴（例如x1方向)的单向应力作用时，晶体由光
以GaAs各向同性立方晶体为例，证明当其受到平行于立方体轴(例如x1方向)的单向应力作用时，晶体由光学各向同性变成了单轴晶体。
第6题
氟离子选择电极对氟离子具有较高的选择性是由于（)。A．只有F-能透过晶体膜B．F-能与晶体膜进行离子
氟离子选择电极对氟离子具有较高的选择性是由于()。
A．只有F-能透过晶体膜
B．F-能与晶体膜进行离子交换
C．由于F-体积比较小
D．只有F-能被吸附在晶体膜上
第9题
晶体智力的发展（）。A．在成年达到高峰B．在成年后仍然增长C．随年龄增长而下降D．在20岁左右达到高
晶体智力的发展（）。
A．在成年达到高峰
B．在成年后仍然增长
C．随年龄增长而下降
D．在20岁左右达到高峰
第10题
单晶体银在500℃时自扩散系数的实测值比高温外推所得值高约2个数量级，可能的原因是什么？设每个原子面间距的
位错线“包含”约10个原子，沿位错线的扩散系数
，估计晶体的位错密度ρ，以点阵常数a为单位表示。
第11题
具有六方ZnS型结构的SiC晶体，其六方晶胞参数为a=308pm，c=505pm;已知C原子的分数坐标(0，0，0;2/3，1
具有六方ZnS型结构的SiC晶体，其六方晶胞参数为a=308pm，c=505pm;已知C原子的分数坐标（0，0，0;2/3，1
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/3，1/2)和Si原子的分数坐标(0，0，5/8;2/3，1/3，1/8)。请回答或计算下列问题：
(1)按比例清楚地画出这个六方晶胞;
(2)晶胞中含有几个SiC？
(3)画出点阵型式，说明每个点阵点代表什么？
(4)Si作什么型式的堆积，C填在什么空原中？
(5)计算Si—C键键长。
