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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

可控硅关断的条件是()。

A.控制极电流小于维持电流

B.阳极电流小于维持电流

C.控制极加反向电压

D.阳极加正向电压

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第1题
晶闸管关断条件是()。

A.将控制极触发脉冲关断

B.减少阳极电流使之小于维持电流

C.在控制极加反向电压

D.在控制极加正向电压

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第2题
可控硅元件导通的条件是①(),②()。控制极上加正向触发电压
可控硅元件导通的条件是①(),②()。控制极上加正向触发电压

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第3题
门极关断晶闸管()GTO)是()器件,要是GTO关断,必须在门极上施加一个反向的大脉冲电流及反向电压。

A.电压控制型

B.电流控制型

C.电压注入型

D.电流注入型

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第4题
可控硅导通的条件是()。

A.阳极和阴极间加一定的反向电压,控制极和阴极间加一定的正向电压

B.阳极和阴极间加一定的正向电压,控制极和阴极间加一定的正向电压

C.阳极和阴极间加一定的正向电压,控制极和阴极间加一定的反向电压

D.阳极和阴极间加一定的反向电压,控制极和阴极间加一定的反向电压

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第5题
当可控硅导通后,门极也必须供正电压。()
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第6题
GTO的门极驱动电路包括开通电路、关断电路、反偏电路。()
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第7题
BJT或FET用于放大信号,首先要建立静态工作点,其目的是使管子工作在(),此时,漏极电流受信号电压()控制,

BJT或FET用于放大信号,首先要建立静态工作点,其目的是使管子工作在( ),此时,漏极电流受信号电压( )控制,集电极电流受信号电压( )控制。

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第8题
可控硅电压变化率或电流变化超过一定值时,将发生损坏。()
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第9题
双极型晶体管具有电流放大能力的条件不包括()。

A.基区宽度足够小

B.发射结正偏

C.集电结反偏

D.发射结及集电结的结电阻足够小

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第10题
常用的电力电子器件有:()。
常用的电力电子器件有:()。

A.双极晶体管

B.绝缘栅双极晶体管

C.电力MOS场效应管

D.门极关断晶闸管

E.场控晶闸管

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第11题
简述谐振开关实现零电压开通和零电流关断的原理。

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