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[主观题]

可控硅元件导通的条件是①()，②()。控制极上加正向触发电压

可控硅元件导通的条件是①（)，②（)。控制极上加正向触发电压

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第1题

当可控硅导通后，门极也必须供正电压。（)

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第2题

为触发晶闸管导通所需的触发脉冲，可以由分立元件接触发电路产生，也可由成品集成触发电路芯片产生。（)

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第3题

单相全控桥整流电路每次导通时，有两个晶闸管串联导通。（)

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第4题

由门极控制导通的晶闸管导通后，门极信号（)。

A.失去作用

B.需维持原值

C.需降低

D.需提高

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第5题

单相桥式半控整流电路如附图1.2所示，已知变压器的副边电压为a点“+”、b点“-”时，T₁和D₂导通，当副边电压由零向负变化时，则( )。

A.T₁，D₂导通

B.T₁，D₁导通

C.T₂，D₂导通

D.T₂，D₁导通

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第6题

电除尘整流柜内可控硅或可控硅保护元件击穿，是因为（)。

A.阻容吸收元件损坏

B.阻容吸收原件损坏，可控硅质量不良或安装不好

C.可控硅质量不良或安装不好

D.可控硅质量虽不良但安装正常

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第7题

单相桥式半控整流电路，由市电220V直接供电，负载电阻为6Ω，平均电压可调0-60V，求晶闸管导通角日,平均电流，管子承受的最大正、反向电压。选择晶闸管。

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第8题

高压聚乙烯切粒系统启动条件不包括（)。

A.送电

B.启动润滑油系统

C.切粒机辅机开始运行

D.高压分离器出口导通

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第9题

单相半控可控硅整流电路由（)构成。

A.四个晶闸管

B.四个二极管

C.两个晶闸管

D.两个晶闸管两个二极管

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第10题

有源逆变发生的条件为（)

A:要有直流电动势

B:要求晶闸管的控制角大于900

C:直流电动势极性须和晶闸管导通方向一致

D:以上说法都是对的

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第11题

晶闸管稳定导通的条件（)

A.晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流

B.晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流

C.晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流

D.晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流

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