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第1题
硅片热氧化生长遵从如下公式：t+At=B(t+τ)，其中t为硅片经过t时B/A为线性速率系数间后SiO的生长厚度(μm);B为抛物线速率系数(μm(μm/h);τ为生成初始氧化层(同一工艺参数)所用的时间(h)。我们希望通过对一初始表面氧化层厚度为0的硅片进行一2段氧化过程：干氧(0.5h)—湿氧(2h)来生成厚的SiO薄膜作为隔离场氧层。干氧温度为1100℃，湿氧水汽氧化温度2为920℃。已知：920℃下水汽氧化相关工艺参数分别为：A=0.50μm，B=0.20μm/h;1100℃下干氧氧化相关工艺参数分别为：2A=0.09μm，B=0.03μm/h。试计算：a、0.5h内干氧生成的SiO厚度(μm)b、2h内湿氧水汽氧化所生成的SiO厚度(μm)c、整个氧化过程所消耗的硅层的厚度(μm)。
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第2题
事故状态下液化烃低温压力储罐、低温常压储罐，LNG低温常压储罐主要依靠工艺控制。（）
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第4题
铝合金阳极氧化膜随着膜层生长由初始非晶态（Al2O3）均匀膜层逐渐形成晶态（Al2O3）多孔氧化膜，膜层PB比约为1（）
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第5题
薄层工艺（10nm以下氧化层）过程中应注意哪些要求？现采用的工艺有哪些？
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第6题
在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（)而成为相邻电子元件的绝缘体
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第7题
夏季深孔泄水时水温很低，如灌溉则影响农作物生长，下泄冷水对鱼类生长也不利，常形成所谓()。
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第8题
钝化：使不锈钢工件表面生成附着氧化层的工艺。处理完后表面变成均匀银白色（）
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第9题
NPO工艺是为了抑制多晶硅耗尽效应，减小栅氧化层电性厚度（）
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第10题
外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反响室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
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第11题
外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
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