如果结果不匹配，请 
更多“什么叫PN结的势垒电容？分析势垒电容的主要的影响因素及各因素…”相关的问题
第2题
关于半导体二极管的主要参数，下列说法不正确的是()。
A.最大整流电流：管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流
B.正向压降：二极管正向导通后的压降，一般情况，硅管的正向压降为0.2V左右
C.反向电流：指管子未击穿时的反向电流，这个值越小，管子的单向导电性越好
D.极间电容：PN结存在扩散电容和势垒电容，极间电容是反映二极管中PN結电容效应的参数，它是扩散点燃和势垒电容之和
第6题
下列关于PN结隧道击穿的说法中，错误的是（)。
A.势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿
B.隧道击穿也称齐纳击穿
C.隧道击穿发生在重掺杂PN结中
D.隧道击穿的击穿电压温度系数为负
第7题
肖特基势垒是下面哪种接触形成的？（)
A.金属-氧化物-半导体接触中，半导体中靠近氧化物的区域
B.金属-氧化物接触中，氧化物中靠近金属的区域
C.P型半导体-N型半导体接触时产生的结区
D.金属-半导体接触中，半导体中靠近金属的区域
第11题
在作用势V（r)很弱的条件下，证明相移δl的Born近似公式 （1) 并用来处理球方势阱（垒) （2) 的低能散射（
在作用势V(r)很弱的条件下，证明相移δl的Born近似公式
(1)
并用来处理球方势阱(垒)
的低能散射(
