A.最大整流电流:管子长期运行时,允许通过的最大正向平均电流
B.正向压降:二极管正向导通后的压降,一般情况,硅管的正向压降为0.2V左右
C.反向电流:指管子未击穿时的反向电流,这个值越小,管子的单向导电性越好
D.极间电容:PN结存在扩散电容和势垒电容,极间电容是反映二极管中PN結电容效应的参数,它是扩散点燃和势垒电容之和
A.势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿
B.隧道击穿也称齐纳击穿
C.隧道击穿发生在重掺杂PN结中
D.隧道击穿的击穿电压温度系数为负
A.金属-氧化物-半导体接触中,半导体中靠近氧化物的区域
B.金属-氧化物接触中,氧化物中靠近金属的区域
C.P型半导体-N型半导体接触时产生的结区
D.金属-半导体接触中,半导体中靠近金属的区域
在作用势V(r)很弱的条件下,证明相移δl的Born近似公式
(1)
并用来处理球方势阱(垒)
(2)
的低能散射()问题.