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第3题
GTR在应用中应特别注意二次击穿问题，在电感性负载和大电流开关电路中，二次击穿是晶体管毁坏
GTR在应用中应特别注意二次击穿问题，在电感性负载和大电流开关电路中，二次击穿是晶体管毁坏的主要原因。二次击穿将造成GTR的永久性损坏，不具有可逆性。发生二次击穿必须同时具备三个条件，即高电压、大电流和()。
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A . 电场
B . 持续时间
C . 磁场
D . 应力
第4题
关于C^2MOS寄存器和TSPCR，下列说法错误的是（)。
A.TSPCR的功能受晶体管尺寸的影响大
B.C^2MOS是一种单相时钟技术，提供了一种允许时钟偏差的解决办法
C.TSPCR可以将逻辑功能嵌入到锁存器中
D.C^2MOS锁存器在时钟斜率不够陡直时不能正确工作
第7题
用钳形电流表测量电流互感器V/V接线时，Ia和Ic电流值相近，而Ia和Ic两相电流合并后测试值为单独测试时电流的1.732倍，则说明（)。
A.一相电流互感器的极性接反
B.有两相电流互感器的极性接反
C.有一相电流互感器断线
D.有两相电流互感器断线
