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题目内容（请给出正确答案）

[多选题]

对NPN型和PNP型晶体管的描述错误的是（)。

A.由两种不同的材料硅和锗制成的

B.掺入的杂质元素不同

C.P区和N区的位置不同

D.管脚排列方式不同

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第1题

NPN型和PNP型晶体管都含有掺杂区（)

A.发射区

B.基区

C.集电区

D.放大区

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第2题

晶体三极管的PNP和NPN型两种结构相似均具有三个PN结，形成两个区域。（)

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第3题

三极管是由两个PN结构成的一种半导体器件，根据PN结的结合方式不同，三极管可分为PNP型和NPN型两种类型、。（)

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第4题

晶体管的组成形式有（)两种.

A.NPN

B.PNP

C.PPN

D.NNP

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第5题

关于晶体管的漏电流，以下说法的是（)。

A.相同功率的锗管漏电流大于硅管

B.NPN管漏电流小于PNP管

C.电压升高一倍漏电流增大一倍

D.NPN管漏电流大于PNP管

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第6题

用模拟万用表欧姆挡测一晶体管，用黑表笔接一个极，用红表笔分别测另两个极，测得的电阻都很小，则黑表笔接的是（)。

A.NPN的发射极

B.PNP的发射极

C.PNP的基极

D.NPN的基极

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第7题

测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V，则此三极管为（)

A.PNP型锗三极管

B.NPN型锗三极管

C.PNP型硅三极管

D.NPN型硅三极管

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第8题

晶体管符号上的箭头朝外，则表示为（)。

A.硅管

B.锗管

C.NPN管

D.PNP管

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第9题

无论是PNP型还是NPN型三极管，若工作在放大状态时其条件是（)。

A.发射结正向偏置，集电结反向偏置

B.发射结集电结都反向偏置

C.发射结集电结都正向偏置

D.视管子类型而定

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第10题

晶体管符号中，箭头朝内者，表示它是（)。

A.硅管

B.锗管

C.NPN管

D.PNP管

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第11题

在静态时，无论基极偏置电流多大，无论是PNP型还是NPN型，三极管三个极电流总有（)。

A.IC=IB+IE

B.IB=IE+IC

C.IE=IB+IC

D.IE=(1)IB

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