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[判断题]

双极型晶体管的发射极和集电极是等效的,使用时可以互换不会影响晶体管的放大作用。()

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第1题
当输入信号接入发射极、负载接到集电极时,双极型晶体管放大电路构成()组态。

A.共基极

B.共发射极

C.共集电极

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第2题
MOS管的栅极与双极型三极管的()相对应。

A.基极

B.集电极

C.发射极

D.发射极或集电极

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第3题
晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。()
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第4题
试指出如何使用二用表电阻挡判别双极型晶体管的三个电极和类型.

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第5题
在图22.12所示中,ROM的存储矩阵是由双极型晶体管构成的。(1)画出简化阵列图。(2)列表说明其存储的内容。(3)写

在图22.12所示中,ROM的存储矩阵是由双极型晶体管构成的。(1)画出简化阵列图。(2)列表说明其存储的内容。(3)写出D0~D3的逻辑式。

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第6题
一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2,VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管,β=100,所

一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2,VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管,β=100,所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av

计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。

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第7题
下面哪一种不是异质结双极型晶体管的特点()。

A.基区禁带宽

B.基区宽度窄

C.基区掺杂浓度高

D.特征频率高

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第8题
在双极型晶体管中,提高集电区掺杂浓度可以抑制:()。

A.集电区穿通效应

B.Early效应

C.基区穿通效应

D.Webster效应

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第9题
穿透电流是基极短路时流过发射极和集电极之间的电流。()
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第10题
BJT或FET用于放大信号,首先要建立静态工作点,其目的是使管子工作在(),此时,漏极电流受信号电压()控制,

BJT或FET用于放大信号,首先要建立静态工作点,其目的是使管子工作在( ),此时,漏极电流受信号电压( )控制,集电极电流受信号电压( )控制。

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第11题
对于共射基本放大电路,如果实际测量基极电压为3.7V,发射极电阻为1千欧,发射结电压为0.7V,则集电极电流约为()mA
对于共射基本放大电路,如果实际测量基极电压为3.7V,发射极电阻为1千欧,发射结电压为0.7V,则集电极电流约为()mA

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