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[判断题]

制备光刻掩膜版,希望黑白区域间的过渡区越大越好。()

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第1题
掩膜ROM在制造时通过光刻是否连接MOS管来确定0和1,如果对应的某存储单元位没有连接MOS管,则该位信息为()

A.不确定

B.0

C.1

D.可能为0,也可能为1

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第2题
光刻包括两种基本的工艺类型:负性光刻和(),两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同,前者是(),后者是()。

此题为判断题(对,错)。

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第3题
一般认为定义西文字符的掩膜矩阵尺寸应不小于_____,而定义汉字字符的掩膜矩阵尺寸应不小于___
__。

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第4题
光掩膜法成型技术的基本原理、主要优点和缺点。

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第5题
单片机存储器的主要功能是存储()和()80C51含()掩膜ROM。
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第6题
全定制集成电路的硅片没有经过加工,其各掩膜层都要按特定电路的要求进行专门设计。()
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第7题
使用蒙版可以起到一个图片过渡、融合的效果()
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第8题
比例度对调节作用过渡曲线余差的影响是()。

A.比例度越大,调节作用越弱,过渡曲线越平稳,余差越大

B.比例度越大,调节作用越强,过渡曲线越平稳,余差越大

C.比例度越大,调节作用越弱,过渡曲线越不平稳,余差越小

D.比例度越大,调节作用越强,过渡曲线越不平稳,余差越小

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第9题
消毒供应中心工作区域设计与材料要求符合要求的是()。

A.各区域间应设实际屏障

B.缓冲间应设洗手设施,采用非手触式水龙头开关。无菌物品存放区内应设洗手

C.工作区域的天花板、墙壁应无裂隙,不落尘,便于清洗和消毒

D.地面与墙面踢脚及所有阴角均应为弧形设计

E.检查、包装及灭菌区的专用洁具间应采用封闭式设计

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第10题
在巡井过程中,你旁边的输气管线突然刺裂,而你身处气体(其中可能含有硫化氢)的包围中,而你又没有空气呼吸器,此时你应该()。

A.紧急维修

B.边跑边大声呼救

C.屏住呼吸,跑出包围区

D.用工衣掩住口鼻撤离包围区

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第11题
修磨深度越深,修磨宽度应越(),以使修磨处过渡的平缓。
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