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第1题
电路如图所示，晶体管的β=50，r=100Ω，UBEQ=0.7V，电路的输入电阻Ri和Ro分别等于()。
A.1kQ,2.5kQ
B.15kQ,2.5kQ
C.1kQ,5kQ
D.15kQ,5kQ
第3题
设图题5.7.1所示电路已设置了合适的静态工作点，电容Cb1、Cb2,Cb3,Ce1,Ce2
对交流信号均可视为短路。试写出该电路的电压增益AP,输入电阻Ri及输出电阻R0的表达式。
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第4题
题如图所示电路中，U、之间的关系式应为（)。 （a)U=－RI （b)U=RI （c)不能确定
题如图所示电路中，U、之间的关系式应为( )。
(a)U=-RI (b)U=RI (c)不能确定
第5题
放大电路如图1所示，RG1=100K，RG2=50K，RD=3K，RL=3K;场效应管T的参数如下：Kn=0.25mA/V2，Vth=2V，r
ds=∞。(
)
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)1) 计算晶体管T1的静态工作点IDQ，VGSQ和VDSQ;
2) gm, 中频电压放大倍数Av，输入电阻Ri和输出电阻Ro;
第6题
电路如图题4.5.1(主教材4.5.1a)所示，设电路参数为VDD=12V，Rg1=150千欧，Rg2=450千
电路如图题4.5.1（主教材4.5.1a)所示，设电路参数为VDD=12V，Rg1=150千欧，Rg2=450千
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欧，Rm=1千欧，Rxi=10千欧。场效应管参数为VTS=1.5V，Kn=2mA/V2，λ=0。试求(1)静态工作点Q;(2)电压增益Ap和源电压增益Aex;(3)输入电阻Ri和输出电阻R0。
第7题
电路如图题7.2.5所示，电路参数如图所示，已知JFET的IDSS=4mA，VTP=-2V，T1、T2的
电路如图题7.2.5所示，电路参数如图所示，已知JFET的IDSS=4mA，VTP=-2V，T1、T2的gm=1.41mS，电流源电路T3的gm3=2mS，电流源的动态电阻RAB=2110千欧。(1)求电路Aed2、Aec2(从d2输出时)和KcCMR2;(2)当vi1=50mV，vi2=10mV时，求v02等于多少？ (3)求差模输入电阻Rid，共模输入电阻Ric和输出电阻R02。
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第8题
一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA／V2，VP=－4V。双极型晶体管VT2为硅管，β=100，所
一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2，VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管，β=100，所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av。
计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。
