1) 计算晶体管T1的静态工作点IDQ,VGSQ和VDSQ;
2) gm, 中频电压放大倍数Av,输入电阻Ri和输出电阻Ro;
一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2,VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管,β=100,所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av。
计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。
已知一个两级放大电路各级电压放大倍数分别为:
(1)写出该放大电路的电压放大倍数的表达式;
(2)求出该电路的fL和fH各约为多少;
(3)画出该电路的波特图.
A.IC=0.5mA,Ui=10mV,Uo=0.37V
B.IC=1.0mA,Ui=10mV,Uo=0.62V
C.IC=1.5mA,Ui=10mV,Uo=0.96V
D.IC=2mA,Ui=10mV,Uo=0.45V