等于（）。
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第1题
电路如图题7.2.5所示，电路参数如图所示，已知JFET的IDSS=4mA，VTP=-2V，T1、T2的
电路如图题7.2.5所示，电路参数如图所示，已知JFET的IDSS=4mA，VTP=-2V，T1、T2的gm=1.41mS，电流源电路T3的gm3=2mS，电流源的动态电阻RAB=2110千欧。(1)求电路Aed2、Aec2(从d2输出时)和KcCMR2;(2)当vi1=50mV，vi2=10mV时，求v02等于多少？ (3)求差模输入电阻Rid，共模输入电阻Ric和输出电阻R02。
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第2题
已知电路如图题4.3.3a(主教材图4.3.7a)所示，该电路的交，直流负载线绘于图题4.3.5中。试求：(1)电
已知电路如图题4.3.3a（主教材图4.3.7a)所示，该电路的交，直流负载线绘于图题4.3.5中。试求：（1)电
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源电压VDD，静态栅源电压VGS，漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ值;(2) 已知Rg1=200kQ，Rg2等于多少？(3) Rd、RL的值分别为多少？(4) 输出电压的最大不失真幅度Vom(设vi为正弦信号)。
第3题
电路如图题6.8.2所示。(1)当输入方波电流的频率为200 Hz时，计算输出电压的平顶降落;(2)当平顶降
电路如图题6.8.2所示。（1)当输入方波电流的频率为200 Hz时，计算输出电压的平顶降落;（2)当平顶降
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落小于2%时，输入方波的最低频率为多少？
第5题
同相输入加法电路如图题2.4.7a，b所示，(1)求图a输出电压v0表达式。当R1=R2=R3=R
同相输入加法电路如图题2.4.7a，b所示，（1)求图a输出电压v0表达式。当R1=R2=R3=R
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4时，v0等于多少？ (2)求图b输出电压v0表达式，当R1=R2=R3时，v0等于多少？
第6题
单管放大电路如图题5.3.9所示，已知BJT的电流放大系数β=50。(1)估算Q点;(2)画出简化H参数小信号
单管放大电路如图题5.3.9所示，已知BJT的电流放大系数β=50。（1)估算Q点;（2)画出简化H参数小信号
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等效电路;(3)估算BJT的输入电阻rbe;(4)如输出端接入4千欧的负载电阻，计算Ae=v0/vi及Aen=v0/vs。
第7题
（重庆大学2006年考研试题)如图9－44所示正弦电流电路中，已知R1=25Ω，R2=5Ω，R3=200Ω，R4=200Q，us（t)=
(重庆大学2006年考研试题)如图9-44所示正弦电流电路中，已知R1=25Ω，R2=5Ω，R3=200Ω，R4=200Q，us(t)=
，L1=2H，L2=3H，C=50μF，求：(1)电流i1(t)和i2(t)；(2)电压源发出的有功功率。
第8题
电路如图11.3.7所示，非线性电阻元件特性的表达式为，i、u的单位分别为A、V，并设uS=25V，ΔuS=0.15sin（ωt＋30°)V，R
电路如图11.3.7所示，非线性电阻元件特性的表达式为
第9题
电路如图题3.4.14所示，D为硅二极管，VD=2V，R=1千欧，正弦信号ve=50sin(2πx50t)mV。(1)静
电路如图题3.4.14所示，D为硅二极管，VD=2V，R=1千欧，正弦信号ve=50sin（2πx50t)mV。（1)静
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态(即ve=0)时，求二极管中的静态电流和v0的静态电压;(2)动态时，求二极管中的交流电流振幅和v0的交流电压振幅;(3)求输出电压v0的总量。
第10题
如图5-15所示单相桥式整流电路中，U2=300V，R=300Ω。(1)求整流输出电压的平均值U0，整流电
如图5-15所示单相桥式整流电路中，U2=300V，R=300Ω。（1)求整流输出电压的平均值U0，整流电
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流的平均值I0，每个整流元件的平均电流I0和所承受的反向峰值电压UDRM;(2)若二极管D，电极引线与电路连接处焊接不良，造成接触电阻R1=100Ω，则整流电流i。的波形将如何？并计算平均值I0
第11题
一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：(1)该管
一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示（其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：（1)该管
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一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：
(1)该管是耗尽型还是增强型？
(2)是N沟道还是P沟道FET？
(3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP还是开启电压V？其值等于多少？
