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[单选题]

关于 SRAM 和 DRAM,下列叙述中正确的是()

A.通常 SRAM 依靠电容暂存电荷来存储信息,电容上有电荷为 1,无电荷为 0

B.RAM 依靠双稳态电路的两个稳定状态来分别存储 0 和 1

C.SRAM 速度较慢,但集成度稍高;DRAM 速度稍快,但集成度低

D.SRAM 速度较快,但集成度稍低;DRAM 速度稍慢,但集成度高

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D、SRAM 速度较快,但集成度稍低;DRAM 速度稍慢,但集成度高

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第1题
下面关于随机存取存储器中静态RAM和动态RAM的叙述中,正确的是()。

A.静态RAM(SRAM)集成度低,但存取速度快且无须刷新

B.DRAM的集成度高且成本高,常做Cache用

C.DRAM的存取速度比SRAM快

D.DRAM中存储的数据断电后不会丢失

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第2题
微机中的Cache存储器通常采用()基本存储单元构造。

A.SRAM

B.DRAM

C.Flash

D.EPROM

E.E2PROM

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第3题
SDRAM与DRAM的显著不同是SRAM读/写过程是与CPU时钟(PC机中是由北桥提供的)严格同步。()
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第4题
试比较SRAM、DRAM、FlashMemory的性能特点。若某应用设计需要一种既可高速改写,又能在掉电时保存数
据的存储器,可采用哪类芯片或哪种技术?

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第5题
NOVRAM是一种不挥发随机存储器,其典型产品是带电池保护的()。

A.DRAM

B.SRAM

C.EPROM

D.MROM

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第6题
与DRAM芯片相比,SRAM芯片的特点是______。

A.集成度高、存取周期长

B.集成度低、存取周期长

C.集成度高、存取周期短

D.集成度低、存取周期短

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第7题
SRAM和DRAM存储原理不同,它们分别靠()来存储0和1的

A.双稳态触发器的两个稳态和极间是否有足够的电荷

B.内部熔丝是否断开和双稳态触发器

C.极间电荷和浮置栅是否积累足够的电荷

D.极间是否有足够的电荷和双稳态触发器的两个稳态

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第8题
内存储器存储正在运行的程序和程序所需的数据,下列关于内存储器说法正确的是()

A.内存速度用进行一次读或写操作所花费的“访问时间”来描述

B.DRAM的主要参数有两个:存储容量和工作频率,工作频率反映了存储器读写单元的速度

C.动态存储器(DRAM)集成度低,生产成本高,一般用在比内存小得多的高速缓冲存储器等场合

D.断电后RAM中的内容全部丢失,目前使用的RAM多数为MOS型半导体集成电路

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第9题
下列关于DRAM的说法错误的是()

A.由一个晶体管和一个小电容组成

B.其内容一般只能保存2ns

C.断电后信息丢失

D.是内存的主体

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第10题
下列关于草履虫的叙述中,错误的是()

A.具有细胞膜、细胞质和细胞核

B.利用纤毛进行运动和摄食

C.能够趋利避害,适应外界环境

D.对污水有一定的净化作用

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第11题
下列关于栓剂的叙述中,错误的为()。

A.完全避免首过作用

B.适用于儿童用药

C.不宜口服的药物可以考虑制成栓剂

D.目前主要有肛门栓和引道栓

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