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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

()一般是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换称为另一频率的电能控制装置。

A.变频器

B.变频技术

C.变频系统

D.变频柜

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第1题
通过控制电路,有规律地控制逆变器中开关器件的通与断,以得到任意频率的()交流电压输出。

A.一相

B.二相

C.三相

D.四相

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第2题
冲击试验对产品的影响主要有()。

A.产品的结构变形,安装松动,产生裂纹甚至断裂

B.电气连接松动,接触不良,造成时断时通,使产品工作不稳定

C.产品内部各单元的相对位臵发生变化,造成性能下降或超差

D.产品内部的一些大器件脱落,造成产品的功能失效

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第3题
单相可控硅是具有3个PN结的四层半导体器件。()
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第4题
下列器件中,不存在二次击穿现象的功率半导体器件是?()

A.scr

B.mosfet

C.GT-R

D.Igbt

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第5题
监控摄像头是一种半导体成像器件。()
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第6题
利用半导体制造的()技术,将敏感元件和应变材料合二为一制成()传感器。
利用半导体制造的()技术,将敏感元件和应变材料合二为一制成()传感器。

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第7题
接触器狭缝灭弧系统的工作原理是利用磁吹线圈产生的磁场将电弧驱入耐弧()制成的具有纵缝的灭弧室中进行灭弧。

A.绝缘材料

B.导体材料

C.半绝缘材料

D.半导体材料

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第8题
半导体器件中MOSFET的中文名称为()。
半导体器件中MOSFET的中文名称为()。

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第9题
发现接触网断线及其部件损坏或在接触网上挂有线头、绳索等物,均不准与之接触,要立即通知附近的接触网工区或电力调度派人处理。在接触网检修人员到达以前,将该处加以防护,任何人员均应距已断导线接地处所10m以外。()
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第10题
GB249—74标准规定半导体器件的命名方法由五部分组成,第四部分用数字表示器件的()。
GB249—74标准规定半导体器件的命名方法由五部分组成,第四部分用数字表示器件的()。

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第11题
金属和半导体接触的整流特性可用于?()

A.制作肖特基势垒二极管

B.制作PN结二极管

C.给半导体器件接出金属引线

D.制作晶体管

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