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[主观题]

用特殊工艺把P型和N型半导体结合在一起后,在它们交界面上所形成的特殊____称做PN结。

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第1题
如果(1)硅用铝(3价)、(2)硅用磷(5价)参杂;而(3)锗用铟(3价)、(4)锗用锑(5价)掺杂;则分别获得半导体属于下述类型正确的是()。

A.(1)(2)均为n型半导体;(3)(4)均为p型半导体

B.(1)(3)均为n型半导体;(2)(4)均为p型半导体

C.(1)(3)均为p型半导体;(2)(4)均为n型半导体

D.(1)(2)均为p型半导体;(3)(4)均为n型半导体

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第2题
AO13N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。()
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第3题
在纯Ge中掺入下列()元素,Ge将变为p型半导体。

A.In

B.Si

C.Br

D.N

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第4题
剪花属于大提花,根据不同的组织,在所要求的区域把经纱或者纬纱全部提上去,使经纱和纬纱不交织在一起!从而形成一定的花型,使织物具有较强的层次感。剪花面料为提花织造后再剪花,剪去多余的经纱部分。()
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第5题
P型半导体的导电载流子主要是()。
P型半导体的导电载流子主要是()。

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第6题
关于缓变沟道近似(GCA),下列说法中正确的是()。

A.GCA成立条件是沿沟道方向(电流前进方向)电场强度远小于栅感应电场(半导体表面电场)

B.强反型时可以用GCA,但亚阈值时不能用GCA

C.用了GCA后,反型电荷面浓度与沟道中位置无关

D.用了GCA后,可以把二维问题转化为一维

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第7题
把一块n型半导体放在z方向的磁场中,半导体沿正x方向通有电流,则霍耳电场的方向指向?()

A.正y方向

B.负y方向

C.正z方向

D.负z方向

E.正x方向

F.负x方向

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第8题
对于p型半导体,费米能级随掺杂浓度的变化情况为:()。

A.费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动

B.费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动

C.费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动

D.费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动

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第9题
通常把智能家居定义为利用计算机、网络和综合布线技术,通过家庭信息管理平台将家居生活有关的各种系统有机的结合在一起的系统()
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第10题
半导体具有光敏特性、()特性和掺杂特性。根据掺杂的不同,可分为N型半导体和()型半导体,半导体中有()和()两种载流子参与导电。
半导体具有光敏特性、()特性和掺杂特性。根据掺杂的不同,可分为N型半导体和()型半导体,半导体中有()和()两种载流子参与导电。

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第11题
N型半导体主要靠()导电的。
N型半导体主要靠()导电的。

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