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[主观题]

共源一共栅放大电路如图LP4-57所示,设各管衬底均与VSS相接,rds2忽略不计.(1)试推导

共源一共栅放大电路如图LP4-57所示,设各管衬底均与VSS相接,rds2忽略不计.(1)试推导

表示式,并说明T4管的作用;(2)若没有T2管,增益Ai如何变化?

共源一共栅放大电路如图LP4-57所示,设各管衬底均与VSS相接,rds2忽略不计.(1)试推导共源

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第1题
如图1.3.14所示电路,求图中受控 源产生的功率P受。

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第2题
差分放大电路如图LT4-18所示,已知各管β值都为100,VBE(on)都为0.7V.(1)说明T3、T4
差分放大电路如图LT4-18所示,已知各管β值都为100,VBE(on)都为0.7V.(1)说明T3、T4

的作用.(2)求ICQ1、ICQ2.(3)求差模增益Atd1.

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第3题
可控增益放大电路如图8.3.1所示。当Qi=1时Si与vi接通;Qi=0,Si接地。 (1)试写出电路电压

可控增益放大电路如图8.3.1所示。当Qi=1时Si与vi接通;Qi=0,Si接地。

(1)试写出电路电压增

的表达式; (2)当v1=+5 mV,Q3Q2Q1Q0=1001时,计算vO的值; (3)求出电压增益的最大值。

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第4题
(重庆大学2006年考研试题)如图9-44所示正弦电流电路中,已知R1=25Ω,R2=5Ω,R3=200Ω,R4=200Q,us(t)=

(重庆大学2006年考研试题)如图9-44所示正弦电流电路中,已知R1=25Ω,R2=5Ω,R3=200Ω,R4=200Q,us(t)=

,L1=2H,L2=3H,C=50μF,求:(1)电流i1(t)和i2(t);(2)电压源发出的有功功率。

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第5题
某接口需占用4个I/O接口地址,假设为2F0H~2F3H,则相应的地址译码部分电路如图8-12所示。 图8-12中,地址A9~

某接口需占用4个I/O接口地址,假设为2F0H~2F3H,则相应的地址译码部分电路如图8-12所示。

图8-12中,地址A9~A2为如图组合时,端输出低电平(AEN必须为低电平),地址依次为:10111100,共8位。把A1、A0附在最后构成10位地址如下。

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第6题
(华北电力大学<北京>2006年考研试题)在如图13—38所示电路中,R2=20Ω,AB两端向右看入的输入

(华北电力大学<北京>2006年考研试题)在如图13—38所示电路中,R2=20Ω,AB两端向右看入的输入电阻Rin=10Ω,M=0.2H,L=1.5H,

,线性无源三端网络的短路导纳参数矩阵为

。求:(1)电压u(t)及其有效值;(2)电源us(t)发出的有功功率;(3)电阻R3。

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第7题
如图13.1.11所示电路,

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第8题
电路如图(a)所示,试求:

电路如图(a)所示,试求:

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第9题
如图1.4.29所示电路中,

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第10题
差动电流放大单元(吉尔伯特增益单元)如图3.4.8所示,晶体管VT1~VT4性能相同,其中一1<x<1,计算电流

差动电流放大单元(吉尔伯特增益单元)如图3.4.8所示,晶体管VT1~VT4性能相同,其中一1<x<1,计算电流增益

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